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第三章 功率半导体器件 驱动与保护技术 第三章 功率半导体器件 驱动与保护技术 3.1 驱动电路概述 3.2 晶闸管与IGCT驱动技术 3.3 MOSFET与IGBT驱动电路设计应用 3.4 半导体器件应用中的保护技术 3.1 驱动电路概述 驱动电路是连系控制信号与功率信号的桥 梁，是控制电路与主电路的接口。要充分发挥 功率器件的优良性能，就必须了解驱动电路的 特点。 驱动电路与功率器件一起工作，成为弱电 控制强电的关键。 3.1 驱动电路概述  一般驱动电路的特点： 1. 电气隔离 2. 驱动功率 3. 检测保护 4. 故障反馈 5. 集成度与可靠性 3.1 驱动电路概述 常用的驱动电路实物展示： 3.1 驱动电路概述 驱动电路与功率器件连接展示： 3.1 驱动电路概述 驱动电路基本原理： 按照控制信号到功率器件门控极的连接 方式分为直接驱动和隔离驱动 直接驱动法 3.1 驱动电路概述 光电耦合隔离驱动方式 变压器隔离驱动方式 3.2 晶闸管与IGCT驱动技术 晶闸管与IGCT同属于闸流管类；IGBT和 MOSFET属于晶体管类。 3.2 晶闸管与IGCT驱动技术  晶闸管驱动 门极触发电路要求： 1. 保证脉冲宽度 2. 保证脉冲幅度和陡度 3. 保证脉冲功率 3.2 晶闸管与IGCT驱动技术 脉冲变压器 驱动晶闸管电路 3.2 晶闸管与IGCT驱动技术 单向晶闸管交流调压电路 3.2 晶闸管与IGCT驱动技术  IGCT驱动 门极触发电路要求： 1. 足够的门极正反向电流 2. 保证足够的驱动功率 3.2 晶闸管与IGCT驱动技术 IGCT开通关断过程 3.2 晶闸管与IGCT驱动技术 3.3 IGBT(MOSFET)驱动技术 MOS与IGBT是门控电压型器件，工作频率 相对较高。驱动电路功率要求较低，频率要 求较高。 对于小功率低压的MOSFET，一般可以直接 驱动或者通过带自举电路的供电方式进行电 压隔离工作 对于中大功率高压IGBT，一般采用电磁或 光电隔离的驱动方式工作 3.3 IGBT(MOSFET)驱动技术  MOSFET驱动电路要求： 1. 开关管开通瞬时, 提供足够大电流使MOSFET栅源极 电压迅速上升,保证开关管快速开通且不存在上升沿高 频振荡; 2. 开关管导通期间保证MOSFET栅源极间电压保持稳定 3. 关断瞬间能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET 栅源极间电容电压的快速泄放,保证开关管能快速关断 4. 关断期间驱动电路最好能提供一定的负电压避免受到 干扰产生误导通 3.3 IGBT(MOSFET)驱动技术 MOSFET驱动 常用的MOS驱动器： IR2110 自举隔离 IX