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理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao)
November A cta Phys. Chim. Sin., 2007, 23(11) :1671-1676 1671
[Article]
Bi MoO 纳米薄膜的制备及其光电性能
2 6
毅 宗瑞隆 朱永法
(清华大学化学系, 北京 100084)
摘要: 采用非晶态配合 法在ITO 导电玻璃上制备了Bi MoO 薄膜. 采用扫描电子显微镜(SEM) 、X 射线衍射
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(XRD) 、激光拉曼光谱(LRS)、紫外 可见漫反射谱(DRS)、光电流响应谱、光电转换量子效率(IPCE)等技术研究了
Bi MoO 薄膜的制备工艺、形貌、结构与薄膜光电性能的关系. 结果表明, 500 益、1 h 焙烧后的Bi MoO 薄膜为
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Bi MoO 晶相, 沿(131)晶 方向生长, 薄膜厚度约为69 nm. 随着焙烧温度的升高和焙烧时间的延长, Bi MoO 薄
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膜的平均颗粒度增大, 并且在525 益焙烧出现茁 Bi MoO 和 忆 Bi MoO 晶相. Bi MoO 薄膜具有可见光响应活
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性, 在可见光照射下可以产生光电流, 优化条件下的Bi MoO 薄膜在400 nm 的光电转换量子效率可以达到
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2.14%. 薄膜的光电响应和光电转换量子效率受薄膜形貌及结晶状态影响, 可以通过控制薄膜的制备条件来提高
薄膜的光电转换量子效率.
关键词: Bi MoO 薄膜; 非晶
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