一维In掺杂ZnO纳米材料生长及缺陷发光光谱的研究.pdf

⑧ 论 指 论文评阅人1： 评阅人2： 叠查丝 蔓!l趱 逝洼墨璺 评阅人3： 叁亟圄垫煎 丝趔垫鱼煎薄 评阅人4： 评阅人5： 答辩委员会主席： 委员1： 委员2： 委员3： 委员4： 委员5： Iuminescenceofone —Growtha—nddefect．．-related In Zn0 dopednanomaterials ⑧ Author’ Supervisor’ ExternalReviewers lki州 J 咖彬一、 Committee Examining Chairperson： c)nl蚴均 CommitteeMembers： Examining o脚甜萄迭 ∥n，蝴勺 伪7眺鼍 ‰Mj Dateoforal defence：硷雏三：2 摘要 摘要 制备高质量的纳米材料，并通过掺杂调控其光电性能，是ZnO纳米材料实现 广泛应用的前提条件。研究ZnO纳米材料的生长，并深入理解缺陷和杂质的行为， 对于获得高质量的纳米ZnO晶体和优异的光电性能具有重要的指导意义。而In掺 杂ZnO纳米材料的生长取向、表面形貌和缺陷有着重要的影响，所以本文主要以 不同In掺杂含量的ZnO纳米线作为研究对象，通过对生长、光致发光特性及缺陷 复合体进行研究，旨在为制备高质量、高性能的ZnO纳米材料提供新的依据。本 论文的主要研究工作如下： (1)优化实验参数，采用常规的CVD方法制备IIl掺杂含量可控的ZnO纳米 线。发现IIl掺杂会改变ZnO纳米线的表面形貌和生长取向，其c．轴[0001]择优取向 1)两种晶面 受到抑制，出现了非常规的【0223】生长方向和由(1010)和(101 组成的锯齿状表面。与常规的ZnO纳米线相比，111掺杂ZnO纳米线具有比表面积 大和表面态缺陷低的特点，且具有良好的光催化性能，建立了表面能带弯曲模型 对该结果作出了合理的解释。 (2)对不同hl掺杂含量的ZnO纳米线的低温光致发光谱(PL)进行分析， 观察到鲜见的位于3．1eV处的高强度发光峰和一直倍受争议的A线发光峰，而且 其强度均与111掺杂含量有关