高隔离度X波段RF MEMS电容式并联开关.docVIP

高隔离度X波段RF MEMS电容式并联开关 RF MEMS开关在隔离度、插入损耗、功耗以及线性度等方面，具有比FET或pin二极管传统微波固态开关无法比拟的优势，从而获得了广泛的关注，并显示出在 微波应用领域的巨大潜力。自1979年K.E.Petersen第一次报道RF MEMS开关的应用以来，业界已研制出很多不同结构的RF MEMS开关。无论是在隔离度还是在插入损耗上，RFMEMS式并联开关在Ka到W波段都表现出了良好的性能。但是，RF MEMS式 开关在低频段的较低隔离度限制了其在X波段的应用。为克服以上不足，J.B.Muldavin等人提出了在开关梁与地平面之间加入高阻抗传输线，通过该传 输线引入的串联电感使LC谐振频率达到X波段范围，并获得了在X波段隔离度优于-20 dB的性能。J.Y.Park等人设计的RF 式并联开关使用介电常数为30～120的SrTiO3作为介质层，通过增加开关闭态的值使开关在10GHz处的隔离度优于-30 dB。M.Tang等人把下电极放置在由KOH刻蚀、深度为1.6μm的衬底盆状槽中，获得了10～13 GHz频率下，单个开关隔离度为-16.5～-28 dB，两个开关级联的隔离度为-25～-35 dB。本文提出了一种通过CPW传输线与共面波导地平面间的衬底刻槽，提高隔离度并应用于X波段的RF MEMS式并联开关。该设计在不改变开关结构和电路结构的