Ar气退火温度对4H-SiC热氧化层致密性影响研究.pdfVIP

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2017-08-30 发布于重庆
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Ar气退火温度对4H-SiC热氧化层致密性影响研究.pdf

第43 卷第2 期电子科技大学学报 Vol.43 No.2 2014年3月 Journal of University of Electronic Science and Technology of China Mar. 20 14 Ar气退火温度对4H-SiC热氧化层致密性影响研究钟志亲，孙子茭，葛微微，郑禄达，王姝娅，戴丽萍，张国俊 ( 电子科技大学微电子与固体电子学院成都 610054) 【摘要】在Ar气气氛下对热氧化n型4H-SiC生长的SiO 薄膜进行了1 100 ℃以下不同温度的退火，采用反射式椭圆偏振光 2 谱、红外透射光谱研究了退火温度对SiO 薄膜致密性的影响。椭偏测试的结果表明，600 ℃退火后样品具有最大的折射率1.47 2 和最小的厚度84.63 nm。红外研究的结果显示，600 ℃退火后LO峰强度最强，认为是对应Si-O结构单元浓度最高。Al/SiO /SiC 2 MOS结构SiO 的漏电特性研究表明，600 ℃退火后的SiO 薄膜漏电流相比于其他温度退火的氧化层漏电流小了两个数量级。 2 2 8 2 在外加反向偏压5 V时，漏电流密度仅仅只有5×10 A/cm 。600 ℃退火能显著地改善热氧化层SiO 的致密性。 2 关键词 4H-SiC; 退火温度; 致密性; SiO2 中图分类号 TN386.1 文献标志码 A doi:10.3969/j.issn.1001-0548.2014.02.026 Effect of Ar Annealing Temperature on the Densification of SiO2 Film Grown by Thermal Oxidation on 4H-SiC ZHONG Zhi-qin, SUN Zi-jiao, GE Wei -wei, ZHENG Lu-da, WANG Shu-ya, DAI Li-ping, and ZHANG Guo-jun (School of Microelectronic and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China Chengdu 610054) Abstract The effect of different temperature (below 1