AlSb多晶薄膜的制备及其潮解性研究.pdfVIP

贺剑雄 等 ：A1Sb多晶薄膜的制备及其潮解性研究 A1Sb多晶薄膜的制备及其潮解性研究 贺剑雄 ，武莉莉 ，郑家贵 ，夏庚培 ，冯 良桓 ，张静全 ，李 卫 ，黎 兵 (1．四川大学 材料科学与工程学院，I~1)11成都 610064；2．国家光伏产品质量监督检验 中心，四川 成都 610200) 摘 要 ： 采用磁控溅射法制备 了Al—Sb多层薄膜，通 2 实 验 过调节Al和 Sb亚层厚度及层数 改变原子配比，并在 真空中退火。用X射线衍射 (XRD)、扫描 电子显微镜 2．1 样品的制备 (SEM)、金相显微镜 、Hall测试及俄歇 电子 能谱仪研 采用直流磁控溅射法在石英玻璃上制备 了Al—Sb 究了薄膜的结构和性能。结果表明，刚沉积的薄膜只 多层薄膜。使用纯度均为 99．999 的Al和 Sb作为 有 Sb的结晶相 ，经 500℃退 火后化合为 P型 A1Sb多 靶材 ，靶位置在 圆柱形真空室壁 的同一圆柱面上。样 晶薄膜 ，且沿(111)择优取向，退火温度超过 600℃薄 品架处于真空室的中间位置，与两个靶的距离相等 ，并 膜产生局部损伤 。通过 台阶仪显微摄像探头及俄歇深 且在额定工作电压下可以绕靶匀速旋转 ，如图 1所示 。 度剖图观察和分析了薄膜 的潮解现象，提 出了几种保 样品制备时的本底真空为 5．6x10～Pa，溅射时的工 护措施 。 作气体是高纯氩气 ，气压为 0．35Pa，Al靶和Sb靶的溅 关键词 ： A1SB；薄膜 ；退火 ；磁控溅射法 射电压都为 350V，样品架的旋转 电压为 30V。制备好 中图分类号： TM914．4 文献标识码：A 的样品都在真空环境下进行高温退火处理。实验 中样 文章编号 ：1001—9731(2010)Ol一0173—04 品制备参数 、后处理条件以及元素组分比见表 1。 1 引 言 A1Sb是具有 闪锌矿 结构 的Ⅲ一V族化合物半导 体。在室温下，它的间接带隙为 1．6eV，与可见光有很 好的光谱匹配 ，非常适合作为太阳电池 中的光吸收层 ， 理论转换效率高达 28％_1]。另外 ，Al和 Sb在地球上 的资源丰富，在生产和使用过程中无毒 ，是一种具有 良 好应用前景的太阳电池材料 。 图1 磁控溅射室示意图 由于A1Sb薄膜制备 困难 ，且容易潮解 ，其研究工 Fig1Illustrativediagram ofvaccum chamber 作 尚处于探索阶段 。Lal等人 2【]用体 A1Sb化合物作 2．2 样品的测试 为源材料 ，采用热蒸发方法制备 了A1Sb薄膜。Singh X射线衍射测试 (X-rayDiffraction，XRD)在中国 等人 [3]研究 了热壁外延法 (HwE)在单晶KC1衬底上 辽宁丹东方圆仪器有 限公司生产的 DX一1000X射线 制备 A1Sb薄膜的性质。Johnson4【]、Yao[5和 SongL6 衍射仪上进行，使用 CuKa(一0．154184nm)线测试 ， 等人采用共蒸发法在玻璃衬底上制备 了A1Sb薄膜 ，并 研究了其电学和光学性质。Baufay等人 [7研究 了激光 扫描范围2 为 5～7O。，扫描速度 0．03。／s。薄膜组分 由x射线荧光 (X-rayFluorescence，XRF，RigakuZSX 辐照 自发外延生长 A1Sb薄膜 的可行性。已有数位作