Cd1-xZnxS（x=0.88）多晶薄膜的制备及性能研究.pdfVIP

孙 震 等 ：Cd一Zn．S(z一0．88)多晶薄膜的制备及性能研究 Cd1--xZnS(z一0．88)多晶薄膜的制备及性能研究 孙 震，谢晗科，狄 霞，李 卫，冯良桓，张静全，武莉莉，黎 兵，雷 智 (四川大学 材料科学与工程学院，四川 成都 610064) 摘 要： 采用真空共蒸发法制备 了Cd一ZnS多晶 要有以下几种 ：简单机械键合高纯 CdS和 ZnS粉末， 薄膜，研究了Cd一ZnS(x一0．88)多晶薄膜的结构与 再热蒸发形成 Cd…ZnS薄膜 剜；由于机械键合很难 光电特性。xRD的结果表 明，0z≤0．9，Cd一ZnS 获得需要的组分 ，因此，Kumar等_1先采用 固相反应， 薄膜为六方结构 ，高度择优取向；荧光光谱分析与 Ve— 制备出不同组分 Cd ZnxS多晶粉末后 ，再热蒸发获 gard定理的结果以及石英振荡法监测的Cd…ZnS多 得需要组分的Cd一ZnS多晶薄膜 ；也有采用共轴蒸 晶薄膜的组分吻合；制备的Cd一ZnS多晶薄膜 的光 发的方式_】，两种高纯材料在竖直方 向上有一定距 学透射谱 的吸收边随 Zn含量的增加发生蓝移，其光学 离，通过调整原料室 出口的大小、蒸发速度 以及蒸发温 能隙调制在 CdS与ZnS能隙之间；最后测量 了Cd 度来获得需要 的组分。但是 ，上述真空蒸发方法不能 ZnxS薄膜室温电阻率及暗电导率随温度的变化情况， 保证制备优质薄膜 的同时，简单准确地控制薄膜的组 计算了Cd一ZnS薄膜的电导激活能。 分 (z值)。为此，我们采用真空共蒸发法制备 了Cd一 关键词 ： Cd1--xZnS；多晶薄膜 ；共蒸发；光学能隙；电 ZnS(x一0．88)多晶薄膜 ，研究了Cd一ZnS薄膜的 导激活能 组分 、结构和光 电性质。 中图分类号 ： TN304．055 文献标识码 ：A 2 实 验 文章编号：1001-9731(2010)02—0235—03 Cd z s多晶薄膜 的制备采用 自行设计 的真空 l 引 言 共蒸发系统 口 ，实验时 ，系统真空度约 10Pa，采用石 Cd。…ZnS是一种性能优异的 Ⅱ一Ⅵ族三元化合物 英容器和外 绕 钨丝加 热两 个独 立 的蒸 发 源 CdS 半导体材料 ，改变 Cd一ZnS中Zn的含量 (z值)，其 (99．999 ，Johnson—Matthey)和 ZnS (99．999 ， 能带的能级位置 随之改变 ，可获得有效 的电子结构。 Johnson-Matthey)粉末 ，玻璃衬底放在可转动 的样 品 因此，这些材料在蓝绿光到紫外光 区域等短波长范 围 架上。蒸发源之间有挡板 ，避免对另一探头产生干扰 。 (2．4～3．7eV)有潜在的应用 。 在 Cd…ZnS薄膜 的沉积过程中，采用石英振荡法，用 通常 ，六方 Ⅱ一Ⅵ族异质结结构是制作长寿命 Ⅱ一 两台 LHC一2型膜厚监控仪分别对两个蒸发源进行蒸 Ⅵ激光器的理想选择，因为在高激活能级 ，与立方结构 发速率和沉积厚度 的在线监控 ，通过对蒸发速率和沉 Ⅱ一Ⅵ族材料相 比，六方相 Ⅱ一Ⅵ族材料制作的器件可 积厚度的控制可得组分 0xl的Cd一ZnS多晶薄 以减少暗点缺陷的形成L】q]。对于Cd一ZnS薄膜 ， 膜 。 当0z≤0．9时，Cd一ZnS薄膜为六方晶系 ，z越 膜厚的测定采用美国AmbiosTechnologyInc．的 大 ，暗点缺陷就越少l3]。 AmhiosTechnologyXP一2探针 式 台阶仪测定 ；Cd1一 在光电器件领域 ，Cd…ZnS也引起 了广泛的重 ZnS薄膜的结构采用丹东射线集团有限公司的