LED对MM和HBM静电放电敏感性研究.pdfVIP

  LED 对 MM 和 HBM 静电放电敏感性的研究  远方光电科学研究院  杭州市滨康路 669 号远方光电园区 1 号楼，310053  tech@everfine.cn    摘要     为研究机器模式(MM)及人体模式(HBM)静电放电试验对 LED 特性的影响，参考国际标准对半导体元件的 静电放电测试要求，对 LED 样品分别进行 MM 及 HBM 静电放电试验。每次静电测试前后均对样品进行电 光参数测试，观察样品电光参数的变化，并以此作为判别 LED 失效的依据。通过实验，研究对比 MM 静电 放电和 HBM 静电放电试验对 LED 特性的影响，并从理论上探讨了相关失效机理。实验表明无论是 MM 静 电放电还是 HBM 静电放电，均会造成 LED 反向漏电流增大，正向 I‐