三极结构四针状纳米ZnO场致发射显示器研究.pdfVIP

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2017-08-30 发布于安徽
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三极结构四针状纳米ZnO场致发射显示器研究.pdf

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第29卷第2期光学学报 V01．29，No．2 2009年2月 ACTAOPTICASINICA February，2009 文章编号：0253—2239(2009)02—0500—06 三极结构四针状纳米ZnO场致发射显示器的研究林志贤郭太良 (福州大学物理与信息工程学院，福建，福州350002) emission 摘要针对二极式场致发射显示器(field display，FED)驱动电压过高的问题，设计制作了前栅极式三极结构纳米ZnO场致发射显示器，并进行了场致发射实验，验证这种结构的可行性。前栅极结构采用喷砂工艺结合光刻技术，制作出微细的栅孑L结构，实现了较低电压的控制。同时对影响场致发射性能的栅极电压、栅孔开口尺寸和介质层厚度进行了分析讨论。实验结果表明：采用三极结构四针状纳米ZnO场致发射显示器具有良好的发射性能，是一种有前途的场致发射显示器。关键词光电子学；场致发射；四针状氧化锌；三极结构；发射性能中图分类号 TN305．8文献标识码 A doi：10．3788／AO0500 NanoZnOFieldEmissionwithTriodeStructure Tetrapod．Like Display LinZhixianGuo Tailiang and 350002，China) ofPhysicsInformation University，Fuzhou，Fujian (College Engineering，Fuzhou troubleto circuit． AbstractThediodefieldemission driving display(FED)hashighdrivingvoltage，whichbrings field Inordertosolvethis normaltriodestructure nano．ZnOFED．The problem．wedesign grid tetrapod．1ike iS resultsshowthatthestructureiSfeasible．Withabrasive and emission blasting propertyinvestigated．The ofthenormalstructurehavebeencreated，andlow controlis lithographictechnology，gridapertures grid voltage achieved．The sizeandthethicknessofmedium whichinfluencethe gateapertures layerparameters gridvoltage，the re