功率 MOSFET(Power MOSFET)基本知识.pdfVIP

功率 MOSFET(Power MOSFET) 的基本知识 自1976 年开发出功率 MOSFET 以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：如高压 功率 MOSFET 其工作电压可达 1000V；低导通电阻MOSFET 其阻值仅 lOmΩ；工作频率范围从直流 到达数兆赫；保护措施越来越完善；并开发出各种贴片式功率 MOSFET(如 Siliconix 最近开发的厚度 为 1.5mm“Little Foot 系列) 。另外，价格也不断降低，使应用越来越广泛，不少地方取代双极型晶体 管。 功率 MOSFET 主要用于计算机外设(软、硬驱动器、打印机、绘图机) 、电源(AC ／DC 变换器、 DC ／DC 变换器) 、汽车电子、音响电路及仪器、仪表等领域。 本文将介绍功率 MOSFET 的结构、工作原理及基本工作电路。 什么是 MOSFET “MOSFET”是英文 MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor 的缩写，译成中文是“金属氧化 物半导体场效应管” 。它是由金属、氧化物(SiO2 或 SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率 MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安) ，用于功率输出级的器件。 MOSFET 的结构 图 1 是典型平面 N 沟道增强型 MOSFET 的剖面图。它用一块P 型硅半导体材料作衬底( 图la)， 在其面上扩散了两个 N 型区( 图lb)，再在上面覆盖一层二氧化硅(SiQ2)绝缘层( 图lc)，最后在N 区上 方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极) 、 S(源极)及 D(漏极) ，如图 1d 所示。 从图 1 中可以看出栅极 G 与漏极 D 及源极 S 是绝缘的，D 与 S 之间有两个 PN 结。一般情况下， 衬底与源极在内部连接在一起。 图 1 是 N 沟道增强型 MOSFET 的基本结构图。为了改善某些参数的特性，如提高工作电流、提 高工作电压、降低导通电阻、提高开关特性等有不同的结构及工艺，构成所谓 VMOS 、DMOS 、TMOS 等结构。图 2 是一种 N 沟道增强型功率 MOSFET 的结构图。虽然有不同的结构，但其工作原理是相 同的，这里就不一一介绍了。 MOSFET 的工作原理 要使增强型 N 沟道 MOSFET 工作，要在 G、S 之间加正电压 VGS 及在 D 、S 之间加正电压 VDS ， 则产生正向工作电流 ID 。改变VGS 的电压可控制工作电流ID 。如图3 所示（上面↑）。 若先不接 VGS( 即VGS ＝0)，在D 与 S 极之间加一正电压 VDS ，漏极D 与衬底之间的 PN 结处于 反向，因此漏源之间不能导电。如果在栅极 G 与源极 S 之间加一电压 VGS 。此时可以将栅极与衬底 看作电容器的两个极板，而氧化物绝缘层作为电容器的介质。当加上 VGS 时，在绝缘层和栅极界面 上感应出正电荷，而在绝缘层和 P 型衬底界面上感应出负电荷(如图 3) 。这层感应的负电荷和P 型衬 底中的多数载流子(空穴) 的极性相反，所以称为“反型层”，这反型层有可能将漏与源的两N 型区连接 起来形成导电沟道。当 VGS 电压太低时，感应出来的负电荷较少，它将被P 型衬底中的空穴中和， 因此在这种情况时，漏源之间仍然无电流ID 。当VGS 增加到一定值时，其感应的负电荷把两个分离 的N 区沟通形成N 沟道，这个临界电压称为开启电压(或称阈值电压、门限电压) ，用符号VT 表示(一 般规定在 ID ＝10uA 时的VGS 作为 VT) 。当VGS 继续增大，负电荷增加，导电沟道扩大，电阻降低， ID 也随之增加，并且呈较好线性关系，如图 4 所示。此曲线称为转换特性。因此在一定范围内可以 认为，改变 VGS 来控制漏源之间的电阻，达到控制 ID 的作用。 由于这种结构在 VGS ＝0 时，ID ＝0，称这种MOSFET 为增强型。另一类 MOSFET ，在VGS ＝0 时也有一定的 ID(称为 IDSS) ，这种MOSFET 称为耗尽型。它的结构如图 5 所示，它的转移特性如图 6 所示。VP 为夹断电压(ID ＝0) 。 耗尽型与增强型主要区别是在制造 SiO2 绝缘层中有大量的正离子，使在 P 型衬底的界面上感应 出较多的负电荷，即在两个N 型区中间的 P 型硅内形成一 N 型硅薄层而形成一导电沟道，所以在 V