压电陶瓷应变测量及应用.pdfVIP

维普资讯 1995年第4鲰 声学与电子工程 总第4O鲰 一 压电陶瓷应变的测量及应用 一 ／ (。 ／ 俞镶龙 袁永铮 罗绍棠 1＼ — — — — ’＼ (七一五研完所 ) (七二六研究所 ) (七二一厂 ) ， ’ 1 —． 摘要本文叙述压电陶瓷重要特性之一——应变(彤变)的产生机理、分类、捩l量方法及应用 用迈克尔逊干涉法测量静态彤变。采用贝鏖尔函数法测量动态形变。贝塞尔函数法测量简便．精度 高．用此法删出压电陶瓷在谐振状态下的动态形变后．可确定压电冉瓷曲机艟{皆振频率 ．机械 值荨参数．从而可评价压电陶瓷元 件 的质量。 叙述了种用压电陶瓷的形变研制成的一些高精度精密器件．如敦动器，激光器谐振腔镦调机构， 微位移扫描器和 压电千分尺等。 关键词竺 堕 璺笙逊』 贻尔函数干涉仪 2． l 引言 在压电陶瓷元件上加一直流或交流电场．即会产生相应的应变 (形变)。这种形变具有微小． 响应快．连续等特点。随着科学技术的迅猛发展+需要用压电陶瓷微小形变 (微米级甚至纳米缴) 进行控制的对象愈来愈多．控静j精度要求也愈来愈高。这就涉及到如何测量压电陶瓷形变的问 题。据报道。测量微小形变的方法很多．有贴应变片法、电感测微仪、电容测微仪 ．x射线法． 激光干涉仪法等。其中有的是接触式测量．有的是非接触式测量；有的虽屑非接触式测量，但 删量中存在安装样品．计算困难等问题．并不实用。接触式方法不适合动态形变测量．因为它 会改变压电体原来的谐振状态． 致潮不准形变：非接触式方法适用于动态形变测量。本文着 重叙述采j{l非接触式可见光微光干涉仪法傩量三种压电陶瓷材料的静 、动态形变的情况和结果。 并通过形变测量计算压 电应变系数 评价压 电陶瓷元件的质量。 2 压电陶瓷形变产生机理及分类 极化后的压电陶瓷元件具有排列整齐的电畴结构。当外圳直流电场时．由于电场和电偶极 矩的相互作用，引起元件内部电畴排列及原胞结构的变化．从而导致元件宏观形状上的变化， 如图I所示。在外电场作用下．应变 s与电场E之间的关系一般可表示为 S= d -E + M E2 (1) 式中第一项为逆压电效应产生的应变． 为压电应变系数．第二项为电致伸缩效应产生的应 变，M 为 电致伸缩系数 。电致伸缩效应为二次效应．所产生的形变非常小．通常不易测量， 因此在一级近似下．元件的应变主要来 自逆压电效应的贡献。若在压电体上施加交变 电场，则 会使电畴以外加电场同样的频率在其早衡位置附近作徽振动，乃致元件整体作相应的微小变形． 一 24 — 维普资讯 (a)在外电场作用下元件变细变长 (b)在外电场作用下元件变短变粗 圈1 外电场和电偶板矩之问的相互作用 导致宏观形变。压电陶瓷元件在外电场作用下所产生的形变通常分为三类：一是在直流电场作 用下产生的形变．即静态形变．二是在谐振状态下产生的形变．即动态形变．三是在远离谐振 频率的交变电场作用下产生的形变．即准静态形变 后一形变极其微小．难以测量，本文不作 研究。 3 测量方法 31 静态形变的测量 采用传统的迈克尔逊干涉仪测量压电陶瓷元件的静态形变，光路图如图2所示。图中 由 He．Ne激光器出射的光经分束器S后分成