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以ZnO为沟道层薄膜晶体管制备的研究.pdf

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助 能 材 料 以ZnO为沟道层的薄膜晶体管制备研究’ 张新安1’2,张景文1,张伟风2,王东1,毕 臻1,张 杰1,侯 洵1’2 (1.西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室,陕西西安710049; 2.河南大学物理与电子学院,河南开封475001) 摘要: 采用光刻剥离工艺和射频磁控溅射法分别 波段全透明薄膜晶体管,使显示单元开口率的理论值 在(100)硅片和ITO玻璃衬底上制备了以氧化锌为沟 道层的底栅式薄膜晶体管(ZnDTFT)。用X射线衍用单一的绝缘层材料制备,本文则分别采用SiOz、 射仪、原子力显微镜对生长在绝缘层上的Zno薄膜进 A12 行了表征。在硅衬底ZnDTFT中,热氧化生长的二玻璃衬底上制备了ZnpTFT。研究了后退火处理对 氧化硅薄膜作为绝缘层,金属铝用作源漏电极,该器件 ZnO薄膜表面形貌、电学性质的影响和不同绝缘层上 工作在N沟道增强模式,其阈值电压为8V,电流开关 生长ZnO薄膜的结构特性,比较了不同绝缘材料制备 的透明ZnpTFT的光学透过率,并用半导体特性测 比为5×103,电子的场迁移率达到O.61cm2/(V·s)。 在以ITO玻璃为衬底的透明ZnDTFT中,分别采用试仪测量了ZnDTFT的电学性质。 了Si02、A120。、SiN。、PbTiO。薄膜作为绝缘层,实验 2 实验 表明生长在不同绝缘层上的ZnO薄膜都有很高的f 2.1绝缘层制备 轴择优取向,透明ZnoTFT在可见光波段的平均透 过率达到85%。 关键词: ZnO薄膜:薄膜晶体管;绝缘层;光学透过 率 中图分类号:0472.4 文献标识码:A 文章编号:100卜9731(2008)07一1144—03 1 引 言 生长,厚度为200nm;SiN。薄膜用化学气相沉积法制 随着信息时代的到来,以薄膜晶体管(TFT)为基 础的有源驱动平板显示技术作为快捷的信息终端应用 2.2 ZnO沟道层和源漏电极制备 日趋广泛。薄膜晶体管中的半导体沟道层是决定器件 工作性能的关键,为了实现低功耗、快响应速度、工艺 off)制备的,首先用光刻工艺定义好ZnO沟道层图形, 稳定的显示器件,以非晶硅、多晶硅和有机半导体为沟 道层的薄膜晶体管被广泛研究【l~3]。但是,非晶硅薄磁控溅射的生长室,预抽本底真空度到6xlo叫Pa,所 膜晶体管迁移率低“]、光敏性强,多晶硅薄膜晶体管制 用ZnO陶瓷靶材的纯度为99.99%,氩气和氧气的流 备工艺复杂[5]、成本高,同时硅基薄膜晶体管在可见光 波段不透明,限制了显示单元开口率的提高。而有机 半导体薄膜晶体管(OTFT)难以克服低寿命、低迁移发现室温生长的ZnO薄膜的电阻率很高,为提高Zn0 率等缺点[6]。近年来,有人报道了以ZnO为半导体沟薄膜的电学性质,将其在氧气氛围中500℃退火1h。 道层的薄膜晶体管,引起了人们的广泛关注[7’8]。和传 统的TFT沟道层相比,ZnO是一种新型的宽禁带化 TFT的源漏电极为ITO薄膜,电极制备均由磁控溅射 合物半导体材料,在白光二极管、紫外探测器、气敏传 感器、声表面波器件中有重要的应用,其室温下的禁带 宽度为3.37eV,在常温常压下为稳定的六方纤锌矿结TFT的截面结构示意图。 构,ZnO薄膜具有生长温度低、较高的电子迁移率、易 2.3表征与测试 于刻蚀、对衬底要求不高等优点[9’1叫。高质量的Zn0 生长在不同绝缘层上的ZnO薄膜的晶体结构用 薄膜在可见光范围有很高的透过率,可以制备可见光 ·基金项目:陕西省科技攻关资助项目(2005K04一G6) 收到初稿日期:2007一12—3l 收到修改稿日期:2008-03-28通讯作者:张景文 作者简介:张新安(1977一)。男。河南开封人。在读博士.师承侯洵院士.从事宽带隙

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