ECR Plasma CVD淀积介质膜折射率神经网络模拟.pdfVIP

　第 20 卷第 12 期 半　导　体　学　报 . 20, . 12 V o l N o 　1999 年 12 月 . , 1999 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S D ec ECR Pla sma CVD 淀积介质膜 折射率的神经网络模拟 李玉鉴　谭满清　茅冬生　陆建祖 ( 中国科学院半导体研究所 神经网络组 光电子器件国家工程研究中心　北京　100083) 摘要　用人工神经网络方法对电子回旋共振等离子法化学气相沉积(ECR P lasm a CVD ) 镀膜 工艺建立了一个介质膜折射率 关于气流配比 ( ) ( ) 和 ( ) ( ) 的数学模型. n Q N 2 Q SiH4 Q O 2 Q SiH 4 在给定气流配比 ( ) ( ) 和 ( ) ( ) 时模型预测的成膜折射率与实验值符合得 Q N 2 Q SiH 4 Q O 2 Q SiH 4 很好. PACC: 0650, 7125T , 6590 1　引言 电子回旋共振等离子法化学气相沉积(ECR P lasm a CVD ) 是一种淀积介质膜工艺, 其 优点表现在[ 1～ 3 ] : ( 1) 它是一种低温淀积技术, 淀积温度可控制在 150℃以下; (2) 它可通过 ( ) ( ) 改变气流成分和气流配比方便地实现不同的折射率膜 SiN x , SiO xN y 等 ; 3 淀积的膜折 射率 n 的稳定性好, 且在其它工艺条件固定的前提下, n 值可通过各种气体流量间的比例得 到严格控制. 虽然已经积累了大量 ECR P lasm a CVD 淀积介质膜的实验数据, 但是由于工 艺过程的复杂性, 目前还没有从理论上对这些实验数据建立起一个良好的数学模型. 本文试 图利用人工神经网络(A rtificial N eu ral N etw o rk , ANN ) 这一新兴的建模方法, 对 ECR ( ) ( P lasm a CVD 工艺条件 气流配比 和介质膜折射率的关系进行分析 神经网络在半导体材 料中的应用在国内已有报道[ 4 ] ). 通过学习和训练,ANN 可以在大量的实验数据之间建立起 各种复杂的函数关系. 理论上已经证明, 三层BP 网络能够以任意精度逼近任意单变量或多 变量连续函数[ 5～ 8 ] , 因此可以作为一种有效的工具来提取各种实验数据间的内在规律性, 尤 其是在这些实验数据还难于进行理论分析时, 它就更能发挥其潜在的价值. 本文首先用BP 网络建立起介质膜折射率 关于气流配比 ( ) ( ) 和 ( ) ( ) 的数学模型, n Q N 2 Q SiH 4 Q O 2 Q SiH 4 然后利用这一模型对给定气流配比的介质膜折射率进行预测, 预测结果和实验结果符合得 很好, 这将为今后对 ECR P lasm a CVD 镀膜设备开发计算机辅助设计(TCAD ) 软件提供了 　 国家“863 ”高技术计划项目3070604 (01) 资助课题 李玉鉴　男, 1968 年出生, 博士生,