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维普资讯
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FACTURING
●
毙掩装缺陷和清洗●
种新环境
和几乎所有半导体光 领域涉及的其它事情一样，光掩膜缺陷检测和消除正经历着一场革命，因为
新的缺陷类型需要更多倒新的清洗设备和工艺。
| 一一 。 描镜头之下才能发现，
誊 ■ 自誉lII‘糊 k
… 靠近掩膜表面存在分子
， Jo黼 G》‘on 光掩少晶膜圆简在单概念：层上较比
D酌鲥露 m ， 工艺步骤较 污染。典型的掩膜清洗
ToppanPhotomasksInc．
少 ，以及主要特征较大。但 技术能有效地消除微观
是 ，掩膜的光学邻近修正 污染缺陷，实际上也有
(OPC)特征和晶圆上印制 助于减少一种雾状缺陷。
的特征尺寸差不多相等。单 消除雾状缺陷需要掩膜
个晶圆缺陷只影响一个芯 制造商、晶圆制造商、设
片，而一个掩膜缺陷却影响 备和材料供应商之间协
到每一个芯片。掩膜缺陷通 同工作。
过光学检测，即使掩膜上最 这篇文章主要关注
轻微的光波动，都有可能放 雾状缺陷，论述我们对
过缺陷。因此，为了应对过 掩膜缺陷及其检测与消
去的掩膜清洗挑战，业界开 除方法以及如何在晶圆
发了一种完全没有微观污染 厂使掩膜版在其使用寿
的掩膜，而且不改变它的物 命期间保持无缺陷的最
理性质或者损坏掩膜层。 新理解。
A (193rim)光刻设 圈2．软缺陷，比如这个微粒，一般在掩睽
备引入了一类新缺陷，即雾 清洗过程中去除。 掩膜舨缺陷
状缺陷 (haze)。各种不同的雾状缺陷具有两个 掩膜版缺陷分为硬缺陷或软缺陷。硬缺陷，
共同属性：它们往往只能在掩膜曝光于晶圆扫 称
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