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电力电子应用及技术进展 电力电子及其应用已经走过了从诞生到成熟的艰难历程。但在人类的科技史上看这仅仅是开始。让我们从时代前进的角 度，对包括材料、元器件、整机和系统，从基础理论到可靠性的改善，来初步展望电力电子及其应用在可以预见的今后 十年的新发展。 脱胎于以电子管（电真空器件和充气管器件）为基础的“工业电子学” 、在电力半导体器件发展推动下诞生的“ 电力电子学 ” 已经走过近50年的历程而逐步成熟起来。它以优化功率变换为己任，以高效节能节材为专长，以为自动化、智能化、机 电一体化服务为目标，今天已经渗透到电能的产生、输送、分配和应用的各行各业，日益显示出与微电子相似的基础高 科技的一系列特点。 电力电子及其应用的进程是十分艰难的。它是一种强电电子技术。正因为它通过弱电控制来同强电打交道，所以不断有 越来越深层次的可靠性问题被发现、被提出，使其理论和实践的内容越来越丰富。所以，电力电子还是处于不停的发展 中，蕴藏着巨大的生命力。我们从时代前进的角度，基于对过去近半世纪来的进步的回顾和当代初露端倪的新苗头，来 初步展望电力电子及其应用在可以预见的今后十年的新发展。 1 向高电压、大电流、高速化方向发展、“各司其职” 的电力半导体器件 请登陆:输配电设备网浏览更多信息 近半个世纪来，电力半导体器件出现了几十种产品，从理论、结构和工艺的创新、应用广泛和持续的视角来看，功率二 极管、晶体闸流管、可关断晶闸管（GTO）和电场控制器件（IGBT为代表）是几个发展平台，从每个平台又派生出若干 相关的器件来。当然，所有参数均佳的“全能冠军”式器件是不存在的。必然是适应不同的应用需要而会有不同的器件得 到具体的发展；而不同的器件又会找到最适合自己特点的应用场合。 1.1 功率二极管 在现代电力电子线路装置中，除了大功率工频整流的基本功能之外，功率二极管还日益肩负起高频整流、续流、隔离、 箝位、吸收等越来越多的功能。除了电压、电流的指标外，二极管的反向恢复特性成为最被关注的参数。能够能动地控 制恢复电荷、恢复时间、恢复软度及其一致性的工艺技术，以及为折衷超快恢复特性与压降之间的矛盾而必须采用横向 耐压的、减少表面电场的RESURF技术将会进一步成熟起来。为满足频率越来越高的高频整流和高效率的伏级低电压计算 机等整流电源发展的需要，高性能肖特基二极管和用功率MOSFET组成的同步整流器将会普及应用。 1.2 晶体闸流管 在特大功率的工频开关应用中，晶闸管以其耐压高、通态压降小、通态功耗低而应用在高压直流输电（HVDC ）、动态无 功功率补偿、超大电流电解等场合占有优势。今后十年，我国以三峡电站为代表的一系列西部水力发电站的建成所需的 直流输电工程需要大量6500V/3000A级晶闸管；300kA 电解铝设备要求用大量2500V/5000A级晶闸管。它们的动态特性， 如前者的反向恢复电荷的一致性，后者的di/dt耐量高将成为必须攻克的技术细颈。此外，为解决触发绝缘的困难，要求制 造这种参数的光控晶闸管用于HVDC 的呼声日益高涨。 1.3 从GTO到IGCT 常规GTO 因其关断增益不可能太大而必须借助于足够大的负门极电流（约为主电流的三分之一左右）实现关断。有人把G TO关断所需很大的负门极电流认为是靠门极－阴极结的反向雪崩来传导的，这种错误观点误导了不少GTO 的应用者，使 应用中莫名其妙地烧了不少GTO 。实际上，施加负门极脉冲前，GTO必须先开通，即α1＋α2＝1被满足，在阳极电流足够 大之后，才能施加负门极信号来降低门极电位，造成阳极电流的相当部分从阳极直接流向门极而减少了通过阴极即npn 晶 体管部分的发射结的电流，从而使门极－阴极发射结对应的电流放大系数减小，最终在α1＋α21时，GTO关断。这里， GTO 的状态检测和识别十分重要，即只有当GTO处于通态之后才允许施加负门脉冲来关断它。否则在断态下的GTO上施 加负门脉冲容易使门－阴结击穿损坏。在GTO关断时，很大的负门极电流在其体内不是来自门－阴结的反向雪崩击穿， 而是来源于阳极电流的部分分流。 在大功率高电压的交流逆变（变频器）应用中，GTO继承了晶闸管通态压降比较小的优点。为了克服其靠负门极电流关 断的难点，近几年来出现了一种靠外附MOSFET组来关断的GTO组件，即IGCT （集成门极换流晶闸管）已逐步完善。从 这个意义上讲，IGCT是外关断的GTO 。它们关断时，是靠分组串接在阴极和门极的两组多并联MOSFET 的协调工作来实 现的。即关断瞬间先让通过阴极的阳极大电流全部“分流”到门极，再利用串在门极的MOSFET 的快速关