晶体结构缺陷课件.pptVIP

晶体结构缺陷 Mn3O4氧气氛下的热重分析曲线 纯BaTiO3，外观白色，绝缘 单晶硅 + 少量P5+ N型半导体  2.1点缺陷（point defects) (1)空位（vacancies）：在理想晶体中应该被原子占据的格点，现在却空着； (2)填隙原子(interstitial atoms)：在理想晶体中原子不应占有的那些位置叫做填隙位置，处于填隙位置上的原子就叫填隙原子； (3)取代原子(substitution atoms )：一种晶体格点上占据着另一种原子；例如在化合物ＡＢ的晶体中，有若干Ａ原子占据了Ｂ格点位置；或者若干Ｂ有处于Ａ格点上；或者外来原子（杂质原子）占据在Ａ格点或Ｂ格点上。 原子缺陷的三种基本过程 (1)热缺陷过程： (2)杂质缺陷过程： 根据杂质原子在晶体中的位置可分为间隙杂质原子及置换(或称取代)杂质原子两种。杂质原子在晶体中的溶解度主要受杂质原子与被取代原子之间性质差别控制，当然也受温度的影响，但受温度的影响要比热缺陷小。 (3)非化学计量缺陷： 如果晶体的组成与其位置比不符(即有偏离)的晶体就是非化学计量晶体 。 非化学计量的结果 非化学计量晶体的化学组成会明显地随周围气氛的性质和压力大小的变化而变化，往往使晶体产生原子缺陷的同时产生电子缺陷，从而使晶体的电性质