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5 6 2007 4 2 2 娄双玲 等: 双层结构有机电致发光器件发光层厚度的优化 究
娄双玲, 于军胜, 黎威志, 李 璐, 林 慧, 蒋亚东
( , 610054)
: 以TPD 为空穴传输层, Alq3 为发光层兼做电子传输层, 用真空蒸镀方法制备了双
层结构ITO/ TPD/ Alq3 / MgB Ag 器件, 并系统地 究了发光层厚度对器件发光性能的影响通过
固定TPD 厚度为40 nm, Alq3 层厚度x 分别为20, 30, 40, 50, 60 和70 nm, 共制备了六种结构的器
件结果表明, 器件电流随着x 的增大而减小, 启亮电压随着x 的增加而增大, 而器件亮度和流明
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效率随着x 的增大先增大再减小; x= 40 nm 的器件在 15 V 电压下具有最大亮度值 13 750 cd/ m ,
在5 V 电压下具有最大流明效率值 0. 62 lm/ W
: ; TPD; Alq3 ;
: TN3 3. 1 : A : 1001- 5 6 (2007)02- 0195- 03
Effect of Emitting Layer Film Thickness on Performance of Dou le2layer Organic LEDs
LOU Shuang2ling, YU Jun2sheng, LI Wei2zhi, LI Lu, LIN Hui, JIAN G Ya2dong
( School of Optoelectronic Information, Univer sity of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, CHN)
A str act: Double layer organic light2emitting consisting of TPD and Alq3 layer as hole
tr ansport layer (HTL) and electron transport and emitting layer(ETL and EML) , respectively,
were systematically studied. The device was fabricated by conventional vacuum deposition
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method. Influence of thickness of Alq layer on indium tin oxide ( ITO)/ TPD (40 nm)/ Alq (x)
(x is the film thickness, which are 20, 30, 40, 50, 60, 70 nm)/ Mg B Ag ( 300 nm) and the
performance of devices was investigated. Result shows that current density decreases with the
increase of x , while turn2on voltage is proportional to x . It proved that device with x= 40 nm has
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the highest luminance of 13750 cd/ m at 15 V and the maximum efficiency of 0. 62 lm/ W at 5V.
Key words: organic light2emitting device; TPD; Alq3 ; device per formance
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