一维氧化锌柱阵列空间取向激发的荧光光谱研究.pdfVIP

第2 5 卷 , 第6 期 　 　　　　　　　　　　　光 谱 学 与 光 谱 分 析 Vol 25 ,No 6 ,pp848853 2 0 0 5 年 6 月 　　　　　　　　　　　 　Spectroscopy and Spectral Analysis June , 2005 　 一维氧化锌柱阵列空间取向激发的荧光光谱研究 1 ,2 2 3 2 2 谢平波 , 赵福利 , 李亚栋 , 龚 　真 , 汪河洲 1 华南理工大学材料科学与工程学院 , 广东 广州　510640 　　　　 2 中山大学光电材料与技术国家重点实验室, 广东 广州　510275 3 清华大学理学院化学系 , 北京　100084 摘　要 　用两步气相沉积 - 氧化法制备了具有高度一致指向性的一维纤锌矿六方结构的氧化锌单晶柱阵 列 , 探测它的不同空间取向激发条件下的荧光光谱。结果表明 , 一维阵列样品在不同空间取向的激发光照射 下 , 其荧光光谱有明显变化。当低功率 355 nm 激光对一维方向进行横向激发时 , 激子发光的相对强度较大 ; 当用 1 064 nm 激光取向激发时 , 发射光谱的差异更明显。除了荧光光谱的发射峰强弱发生变化外 , 在一维横 向激发时上转换发射光谱产生了新的发射峰 , 表明在不同的取向激发下一维阵列样品对激发光的吸收有明 显变化。由此产生的荧光发射的差异非常明显 , 表明一维氧化锌柱阵列对能量吸收、能量传递等有很强的 方向性。上转换偏振光谱表明 , 当偏振光的振动方向与阵列的一维方向平行时 , 发射光谱中 400 nm 的发光 峰强度比偏振方向与一维方向垂直时要大 , 表明偏振方向对一维阵列的空间取向激发荧光光谱是有影响的。 在讨论阵列发光性质如发光光谱 , 发射强度的时候 , 必须明确激发光的强度、取向以及激发光的偏振方向。 主题词 　ZnO ; 一维柱阵列 ; 空间取向激发 ; 荧光光谱 ( ) 中图分类号: O4723 　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 2005 题。对一维阵列尤其是一维氧化锌阵列的各种性质的研究特 引 　言 别是光学性质的研究报告仍然较为缺乏。由于制备高度有序 的一维阵列型的光电器件在制备微型光电器件中有重要应 　　氧化锌材料作为一种直接宽禁带半导体材料 , 在室温下 用 , 如作为微型场发射显示器元件等 , 使研究一维阵列的制 其禁带宽度为 337 eV 。利用其禁带 , 可以获得从红色到紫外 备及其荧光性质也成为纳米研究的一个重要领域[11 , 12 ] 。由于 的发射[1 ] 。由于氧化锌的激子束缚能高达 60 meV , 同时具有 一维阵列材料有非常明显的方向性 , 可以认为这种方向性将 较高的化学稳定性和热稳定性 , 作为常温和高温下的紫外发 对它们的光学性质有重要的影响 , 对半导体光学材料的一维 射器件和紫外激光器件等方面有广泛的应用前景 , 尤其适合