包裹法制备SiCCu复合粉体的界面行为模拟研究.pptVIP

目 录 一、选题背景和研究意义 二、本项目需要解决的关键问题及创新点 三、 SiC/Cu的晶体生长模型 四、第一性原理预测SiC(SiO2)-Cu(Cu2O)的界面结构 五、结 论 1.1 SiC/Cu复合材料的实际应用基础 较高的机械强度， 好的热物理性能， 高的弹性模量， 好的抗氧化性能， 大的高温强度 1.2 研究的目的和意义 Y.CHAMPIONH and S.HAGEGE: 复合材料的相界与晶界在复合材料的性能中扮演着重要的角色，这一领域的研究方向就是建立界面结构与其物理性质之间的联系。 基体与增强体两相间弱的结合力限制了其发展。 界面问题成为改善该材料性能的关键问题。虽然许多报道解释了实验中的包裹行为，但是还没有报导对包裹的细节过程从理论上证实。 因此，采用计算机模拟包裹的细节过程，用计算机分析包裹过程中的动力学生长规律是很有意义的。 1.3 国内外的研究现状 本课题主要研究界面的生长动力学过程，采用的模拟方法主要是蒙特卡洛方法和分形的相关方法。 蒙特卡洛方法 蒙特卡洛方法是根据待求问题的变化规律构造的概率模型，依据此模型进行大量统计而得出某些统计参量的方法。 分形生长模型 扩散受限制的凝聚（Diffusion-Limited Aggregation，简称DLA模型）模型 扩散受限制的凝聚（DLA）模型 1981年,为研究悬浮在大气中的煤炭、金属粉末或烟尘的扩散凝聚问题时提出的模型。 该模型是在一个正方形点阵的中心格点上放置一个静止的微粒做为种子，以该点为圆心，R为半径做一个圆，在这个圆上随机地释放一个微粒，在圆内做布朗运动的随机行走，如果微粒与种子微粒相撞，那么就令它附着在种子微粒上并与之结合形成凝聚集团，如果微粒走到圆的边界或离开这个圆，则令它消失。 扩散受限制的凝聚（DLA）模型 Hiroshi Mizuseki：用引入外加力场DLA模型研究了在高磁场下电化学沉淀的晶体式样，模拟的结果与试验结果非常接近。 扩散受限制的凝聚（DLA）模型 李建伟, 郑宁, 葛岭梅 ： 在标准的DLA模型中，以体系中微粒间的相互作用势作为结晶和脱附事件发生的概率控制条件，得到了与微晶玻璃中实际晶相结构非常近似的模拟结果。 2.1 研究内容和解决的关键问题 主要研究内容： （1）运用蒙特卡洛方法和分子动力学方法模拟包裹过程中Cu原子在SiC颗粒表面上附着，进而形成Cu微晶的过程。 （2）建立SiC/Cu复合材料界面(相)区域的原子级模型，探索SiC/Cu复合材料的界面形成过程。 主要解决的关键问题： （1）Cu微晶形成过程的动力学模拟问题；了解影响Cu微晶生长的因素； （2） SiC/Cu复合粉体的界面形态问题； （3）Cu和SiC表面氧化物对界面相的影响问题，了解氧桥对界面结合的影响。 2.2 创新点和主要技术难点 创新点： （1）选择计算机模拟SiC/Cu复合材料，弥补了实际试验手段无法观察到微观粒子的动态变化的缺点，降低了试验成本，缩短这种新材料体系的开发时间。 （2）对SiC(SiO2)-Cu(Cu2O)复合材料建立了一个完整的体系，对界面动力学过程进行分析。 需要解决的主要技术难点： （1）晶体生长模型的建立。 Cu2+→Cu→从溶液中析出→在SiC颗粒上成核和生长→微晶 因此，晶体生长模型应围绕溶液中的晶体生长，特别对低过饱和度条件下实际单晶在溶液中生长动力学来进行研究。 （2）界面物理，界面化学表征。 SiO2和Cu2O之间的通过氧桥结合会对SiC/Cu界面产生何种影响。 3.1 SiC/Cu的晶体生长模型 制备的SiC悬浮溶液相当于很多巨大的具有一定形状的微粒种子，Cu原子则是逐渐释放的粉尘，溶液旋转使Cu原子能附着于SiC颗粒的每个表面，这与从边界上随机释放微粒也是同样的原理。 3.2 理论基础 式中， 是Kronecker delta函数，J是设置模拟能级的正常数，si是占据格点i上的基体粒子，sj是与格点i最近邻格点上的粒子。 本系统中可近似地理解为随着Cu粒子逐渐附着在SiC颗粒表面，形成微晶过程中体系的总能量相应降低的情况。计算因位置变化而引起的能量变化ΔE，通过计算改变化几率W判断游离微粒sj 能否扩散并附着在相邻格子si上。若ΔE 0，则附着几率为exp ( - ΔE/ KT)，此时在[0 ,1 ] 区间内产生一个随机数n.若exp ( - ΔE/ KT) n，则发生附着结晶；若exp ( - ΔE/ KT)n，则只有在体系能量降低，即ΔE ≤ 0的情况下才能附着，否则该粒子只能重新回到溶液中。 3.3 模拟流程