近年来,随著能源议题的重要性增加,电力电子和功率元件的.pdfVIP

摘要 近年來，隨著能源議題的重要性增加，電力電子和功率元件的發展 亦成為關鍵之一。如何獲得良好的耐壓能力與導通阻值的權衡和降低製 作成本 一直是功率元件的研究重點 ，儘管許多研究發表只需少數光罩即 可完成，但仍為特殊製程，需藉由打線 接合(Wire bonding)技術將功率元 件和主要電路部分連接 ，在成本降低 以應用彈性上仍然受限。 此外，一般金氧半場效電晶體的崩潰電壓，容易受到表面峰值電場 影響，也是會造成 金氧半場效電晶體的閘極介電層可靠度降低 。本論文 提出一個可整合於 28 奈米互補式金氧半金屬閘極製程的功率元件，稱 為浮空場板金氧半場效電晶體 (Floating Field Plate MOSFETs) 。薄閘極 介電層下，藉由浮空的金屬閘極被使用延伸在汲極接面邊緣的擁集電場， 以提高耐壓。透過 TCAD(Tsuprem4 and Medici)模擬器，分析其浮空場 板設計對於電位與表面電場分布的影響；從量測結果顯示浮空場板金氧 半電晶體可以有效的改善閘極引致崩潰(Gated breakdown) ，使其電壓接 近接面崩潰。因 此元件不需漂移區(Drift region) 光罩且不