热释电薄膜单片式UFPA器件微桥单元结构研究.pdfVIP

第32卷 第 1期 红 外 技 术 Vbl_32 No．1 2010年 1月 InfraredTechnology Jan． 2010 热释 电薄膜单片式UFPA器件微桥单元结构研究 马 韬，吴传贵，张万里，李言荣 (电子科技大学微 电子与固体 电子学院，四川 成都 610054) 摘要：采用RF溅射制备出Ba0l65Sr035TiO3薄膜，剥离法制备出UFPA器件单元所需的图形化金属电极， TMAH溶液进行体硅腐蚀，并且使用保护胶和独特的夹具保护硅片正面免受腐蚀液的腐蚀。总结了一 套制作微桥的简便可行的工艺流程，并最终在厚度为300岬 的硅基片上成功的制备了厚度小于3m的 面积为100um×100gm的微桥单元结构。该微桥单元可以满足制备热释电薄膜单片式UFPA器件的 要求。 关键词：单片式；非制冷红外焦平面阵列；微桥；剥离技术；TMAH 中图分类号：TN304 文献标识码：A 文章编号：1001．8891(2010)01—0017．03 ResearchoftheM icro-bridgeFabricationforUFPA DevicePixel M ATao，Ⅵ Chuan—gui，ZHANGWan—li，LIYAN—rong (SchoolofMicroelectronicsandSolid-stateElectronics,UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChinkChengdu610054，China) Abstract：WepreparedBao65Sr035TIO3thinfilmsbyRF sputtering，madethegraphicalmetalelectrodefor ． ． UFPA devicepixelby lift—off technique；etched themonocrystallinesilicon byTM AH solution．And the micro-patternsoftherfontsideareprotectedeffectivelywithoutbeingetchingbytheseriesprotectiveglues anduniquefixture．A feasiblesimpleprocedureofrmakingmicro—bridgewassummarized，andevenutally obtain 100gm ×100pm area，lessthan5gm thickmicro—bridgefabricationona300 m inthicknesssilicon chip．Preparation of the micro—bridge fabrication to meet the pyroelectric thin film UFPA device requirements． Keywords：monolithic，UFPA，microbridge，lift—OfjFtechnique，TMAH 方 向的两个 晶面因白发极化强度 的变化而出现感应 引言 电荷 ，在感应 电荷被 自由电荷 中和之前，通过外部电 在最近 20年中，非制冷红外焦平面阵列被进行 路测量感应电荷的变化来测量光辐射的通量7【J。由于 了广泛的研究并取得 了迅速的发展¨J。从上世纪 90 薄膜热释 电红外探测器一般选用硅作为衬底材料，而 年代开始，随着薄膜沉积技术的发展，高性能的热敏