射频交替溅射法制备的NiZn铁氧体薄膜的结构与磁性.pdfVIP

第 23卷第 1期 宁 波 大 学 学报 (理工 版 ) Vb1．23NO．1 2010年 1月 JOURNALOFNINGBOUNIVERSITY(NSEE) Jan．20l0 文章编号：1001—5132(2010)01—0115—03 射频交替溅射法制备的NiZn铁氧体薄膜的结构与磁}生 王海波 ，孙建荣 ，王兰喜 ，魏福林 ，王 丽 ，王建波 ，李发伸 ，沈宝龙2 (1．兰州大学 磁学与磁性材料教育部重点实验室，甘肃 兰州 730000； 2冲 国科学院 宁波材料技术与工程研究所，浙江 宁波 315211) 摘要：使用交替靶射频溅射的方法在不同基底上制备得到了成分为 NiHiFe204的铁氧体薄膜， 研究了NiZn铁氧体薄膜的生长条件，探讨了不同工艺条件对薄膜性能的影响，目的是提高薄膜 饱和磁化强度 Ms，降低薄膜矫顽力Hc，改善薄膜的软磁性能，以满足其在高频薄膜器件应用方 面的需要．实验表明：沉积态薄膜即为尖晶石结构．并且通过不同实验条件对 NiZn铁氧体薄膜 性能影响的研究，得到了最佳的NiZn铁氧体薄膜的制备条件． 关键词：NiZn铁氧体；薄膜；溅射；穆斯堡尔谱 中图分类号：TB321 文献标识码：A 近年来，随着高频微波器件和高频薄膜器件 射频溅射的方法在不同基底上制备得到了成分为 的普遍运用，对铁氧体薄膜材料的研究显得十分 NiZn。。Fe2O4的铁氧体薄膜，并研究了工艺条件与 重要．而 NiZn铁氧体材料由于电阻率高、居里温 薄膜性能之问的关系． 度高、高频性能良好等优点，被广泛应用于高频薄 1 实验 膜器件 j． 目前在 NiZn铁氧体薄膜的制备方法方面，研 采用共沉淀法制备了NiFe204靶和ZnFe204靶． 究热点主要集中在PLD(PulsedLaserDeposition) 首先用共沉淀法制备 NiFe204和 ZnFeO4粉料，将 和化学镀工艺 J两种方法上．这两种方法具有沉积 其在 1900oC预烧 3h，然后制粒、压制成直径为 】0 速度快等优势，但也存在着明显的不足．对于 PLD cm的圆饼，并在 l250oC烧结24h，烧结后的靶直 方法，薄膜生长速度较快，不利于进行薄膜厚度的 径在8．5cm左右．利用上述方法得到的NiFe204靶 精确控制；此外由于制备薄膜的成分与靶材一致， 和 ZnFe2O4靶，使用北京仪器厂生产的 GPS一450A 薄膜成分相对缺乏选择性，不利于方便进行薄膜 型双靶射频溅射装置在 si(1l1)基底上制备得到了 成分的调控．而对于化学镀方法，除了薄膜厚度控 Ni~Znl_xFe2O4铁氧体薄膜，并在不同的热处理条件 制的困难以外，还有其工艺过程重复性较差，不利 下进行晶化．之所以采用双靶交替溅射的方法，是 于进行稳定的产品生产的问题；此外，这种方法制 因为这样在只需制备 1个NiFe204和 1个 ZnFeO4 备的薄膜附着力和表面平整度也较差．笔者使用 靶的基础上，可以方便地制备不同Ni和zn离子配 收稿 日期：2009—09—15． 宁波大学学报 (理工版)网址：http：：／／3xb．nbu．edu．ell 第一作者：王海波 (1979一)，男，甘肃天水人，博士，主要研究方向：高频电感铁氧体及高频磁性测量 E-mail：wanghb79@gmail．com l16 宁波大学学报 (理工版) 比的NiZn铁氧体薄膜． 使用Philips公司的X’PertPro型x射线衍射 仪对薄膜的晶体结构进行了研究，薄膜的宏观磁 0 0 性采用美国Lakesho