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一种去除化学机械抛光后残留有机物的新方法.pdf

第 18卷 第 1期 电子设计工程 2010年 1月 V01.18 No.1 E]ectronicDesignEngineering Jan.2010 一 种去除化学机械抛光后残留有机物的新方法 武彩 霞,刘玉岭 ,刘效岩 ,康海燕 (河北工业大学 微 电子研 究所.天津 300l3O) 摘要:提 出硅片化学机械抛光后表面残留的有机物污染,介绍金刚石膜 电化学合成过氧化物的方法与原理 。根据有 机物易被氧化分解的特性 .采用金 刚石膜 电化学法合成过氧化物 ,利用过氧化物 的氧化性氧化分解硅片化学机械抛 光后表面的有机物残留配合特选 的表面活性剂,并加超声清洗 ,物理化学方法结合 ,从而达到去除有机物污染的 目 的。实验表 明,利用金刚石膜 电化学法合成的过氧化物配合特选的表面活性剂作为清洗试剂 ,加超声进行清洗 ,能够 有效去除硅片化学机械抛光后表面的有机物残留,达到较好的清洗效果。 关键词:电化学合成:表面活性剂 :有机物 :过氧化物 :超声清洗 中图分类号:TN305.97:TM914.4 文献标识码 :A 文章编号 :1674—6236(2010)01—0106—02 A new methodofwipingoff residueorganicmatterinPost-CM Pcleaning WU Cai—xia.LIU Yu—ling.LIUXiao—yan,KANG Hai—yan (InstituteofMicroelectronics,HebeiUnwemityofTechnology,Tianjin300130,China) Abstract:ResidueorganicmatterpollutionisintroducedinPost-CMP.Thetheoryoftheoxidabilityofperoxidesynthesized bytheBDD anodesusedintheelectrochemicalisintroduced.Accordingtothecharacteristicoforganicmatterisliabletobe oxygenatedanddecomposed,usingtheoxidabilityofperoxidesynthesizedbytheBDDanodesusedintheelectrochemicalto oxidativedecomposesresidueorganicmatterandcoordinateswithultrasoniccleaning,combiningwithphysicalandchemical method,thusachieves,the goalofwiping off residue organic matter.The experimentsshow peroxide addingto selecting surfaceactiveagentusesascleaningagent,plusultrasoniccleaning, SOastowipeoff residueorganicmattereffectively in Post—CMPandrealizethebettereffectsofcleaning. Keywords:electrochemicalsynthesis;surfaceactiveagent;organicmatter;peroxide;ultrasoniccleaning 化学机械抛 光技术 已成为全 局 整化 的主流技 术之 一 P04一的氧化性用 FeSO 溶液和 KMnO 溶液标定 方法如 … 化学机械抛光后 的颗粒 、有机物 、金属离子等污染物会对 。 下 :配置标准浓度 的 KMnO 溶液和 FeSO 溶液 。取 30m

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