纳米Ag夹层ZnO薄膜的光电性能.pdfVIP

第8卷 第 1期 纳 米 技 术 与 精 密 工 程 V0I．8 No．1 2010年 1月 NanotechnologyandPrecisionEngineering Jan． 2010 纳米 Ag夹层 ZnO薄膜的光电性能 闫金 良，孙学卿，曲 崇，赵银女 (鲁东大学物理与电子工程学院，烟台264025) 摘 要：用射频磁控溅射ZnO陶瓷靶、直流磁控溅射Ag靶的方法在室温下制备 了Ag纳米夹层结构ZnO薄膜．用 x射线衍射仪、紫外一可见分光光度计、四探针电阻测量仪和原子力显微镜对薄膜样品的结构、光学透过率、面电阻 和表面形貌进行表征．结果表明，ZnO衬底有利于Ag夹层形成连续膜．随着Ag层厚度的增加，Ag夹层ZnO薄膜呈 现多晶结构，Ag(111)衍射峰强度增强，面电阻先迅速下降后缓慢下降．随着ZnO膜厚度的增加，她 夹层ZnO薄膜 的透射峰红移．制得样品的最佳可见光透过率高达92．3％，面 电阻小于4．2fl／口． 关键词：Ag夹层；ZnO薄膜；光学性能；电学性能 中图分类号：TN304．4 文献标志码 ：A 文章编号：1672-6030(2010)01-0012-04 ElectricalandOpticalPropertiesofZnO Filmswith AgNanoscaleInterlayer YANJin—liang，SUNXue—qing，QUChong，ZHAOYin-nO (SchoolofPhysicsandElectronicEngineering，LudongUniversity，Yantai246025，China) Abstract：ZnO filmswith Agnanoscaleinterlayerwerepreparedon glasssubstrateswith alternate RF magnetronsputteringofZnO andDCmagnetronsputteringofAgatroom temperature．Thestructure，0p— ticaltransmittance，sheetresistanceandsurfacemorphologyofthefilmswerestudiedusingX—raydiffrac— tion，UV—VISspectrometer，four—pointprobeandatomicforcemicroscopy．ResultsindicatesthatZnO substratesarehelpfulinformingcontinuousAgfilms．WiththeincreaseofAginterlayerthickness，ZnO filmswithAginterlayerdisplaygoodpolycrystallinity，theintensityofAg(111)peakincreases，andthe sheetresistanceofZnO filmswithAginterlayerfirstrapidlydecreasesand thenslowlydecreases．The peaktransmittanceofZnO filmswithAginterlayershiftstowardthelongwavelengthregionwiththein— creaseofZnOfilm thickness．ZnOfilmswithAginterlayerpreparedhavesheetresistancelowerthan4．2 1)／口 andoptimaltransmittanceashighas92．3％． Keywords：Aginterlayer；ZnO film；opt