通过自旋进动量子点自旋相关的隧穿.docVIP

第三章 通过自旋进动量子点自旋相关的隧穿 引言 自从巨磁阻现象的发现以后[1-2], 与自旋相关的输运问题展开了大量的研究。由于自旋相关电子器件的基本物理性质和潜在的应用，近来，单个自旋的探测和操纵受到了广泛的关注。Balatsky 和Martin[7] 提出了一种新的自旋探测技术机制——电子自旋进动STM。他们发现当存在外磁场时，未极化的入射电子电流和局域自旋间的自旋轨道相互作用在电导图形中产生新的结构。朱建新等人[9] 研究了低温下局域进动在外加弱磁场时同两正常金属引线耦合系统的电子的量子输运。他们发现在绝热进动的情况下，当自旋以拉莫频率缓慢进动时，电导的振荡中出现了拉莫频率和两倍拉莫频率2的成分。另一方面，近来研究纳米结构和铁磁引线的耦合系统的输运问题成为自旋电子学中的热点之一。张平[10] 等人研究了一量子点和铁磁引线耦合系统中自旋相关的电子输运。研究结果表明Kondo的劈裂和量子点中能级的自旋劈裂都可由铁磁电极的磁化强度来控制。当铁磁电极的磁化强度取向相同时，线性电导成双峰结构；当铁磁电极的磁化强度取向相反时, Kondo会劈裂成三峰结构。 本文我们将主要研究一个局域进动自旋和铁磁引线耦合系统的隧穿电流。该系统的结构如图3.1所示，即铁磁引线—进动自旋—铁磁引线的系统装置。在外界弱的磁场作用下，自旋绕着磁场方向作进动。为了处理问题简单，我们假设自旋轨道相互作用仅存在于铁磁引线和自旋座之间的隧穿势垒中，这种相互作用 可以引起自旋翻转散射。自旋座上的单电子与局域自旋通过自旋交换相互作用耦合在一起。自旋交换相互作用会引起量子点内能级的劈裂和自旋翻转散射，自旋翻转散射又会使劈裂的能级发生进一步的移动。 图 3.1 铁磁－量子点－铁磁系统 3.2 模型和公式 铁磁－量子点－铁磁系统的哈密顿量可以描述如下： (3.1) (3.2) (3.3) (3.4) 其中分别是引线中电子的产生、消灭算符，是量子点中电子的产生、消灭算符。描述的是自旋座和两个引线的隧穿耦合部分，其中是 隧穿耦合矩阵。注入的传导电子进入量子点中，通过自旋交换相互作用，与局域自旋（磁性杂质）耦合在一起，其中是自旋的泡利矩阵。与自旋交换相互作用能量相比，自旋座上电子在外磁场中的塞曼能量很小，处理问题时我们忽略了塞曼能量的影响。为了处理问题简单，自旋座上电子之间的库仑相互作用也被忽略了。局域自旋的运动方程是，其中， 是旋磁比，是自旋角动量。在二次量子化的空间中，在自旋座上电子的自旋交换相互作用哈密顿量可以被写成式(3.3)的形式，其中是自旋交换相互作用强度，是局域自旋在外磁场的倾斜角，，是局域自旋和外磁场的方位角，是拉莫频率，是初始方位角。在公式(3.3)中的非对角项部分，和产生自旋翻转散射。 因为与自旋进动相关的能量为电子伏特远小于入射电子能量的数量级1电子伏特，所以与电子传输过程的时间尺度相比自旋进动是很慢的。这样我们可以把电子的输运过程利用绝热近似处理，即好像每一瞬间自旋方向中局域自旋进动相对入射电子都是近似静止的，如参考文献[9]. 系统的电流可以表示为： (3.5) 其中是费米分布函数，是量子点内的推迟格林函数的傅立叶变换，用Dyson方程精确求解，即, 其中是量子点内无自旋翻转散射单个电子的推迟格林函数。系统自能是由量子点和左右引线间的隧穿耦合相互作用和量子点内的自旋交换相互作用即的非对角项部分产生的。自能矩阵可以被写成，量子点中的自旋翻转散射即 的非对角项部分可以用表示，写为： (3.6) 与引线耦合的自能可由量子点和引线耦合的隧穿矩阵得到，其中被写作： (3.7) 是自旋翻转和自旋守恒的隧穿比， 其中是量子点与引线的隧穿耦合强度，是铁磁引线的态密度。在宽能带近似的情况下，与铁磁引线耦合的自能为： ， 当铁磁引线磁矩处于平行组态时，和有相同的表达形式。而当铁磁引线磁矩处于反平行组态时， (3.8) 而 (3.9) 零温下系统的电导被写为: (3.10)