3.3 磁场分布.docVIP

§3.3 磁场分布 【预习重点】 1.毕奥－萨伐尔定律、载流圆线圈在轴线上某点的磁感应强度公式。 2.亥姆霍兹线圈的组成及其磁场分布的特点。 3.霍尔效应、霍尔传感器原理。 【实验目的】 1.测亥姆霍兹线圈在轴线上的磁场分布。 2.测载流圆线圈在轴线上的磁场分布，验证磁场叠加原理。 3.比较两载流圆线圈距离不同时轴线上磁场分布情况。 【实验原理】 一、圆线圈 载流圆线圈在轴线（通过圆心并与线圈平面垂直的直线）上磁场情况如图1。根据毕奥萨伐尔定律，轴线上某点的磁感应强度为 （3.3.1） 式中I为通过线圈的电流强度，N为线圈匝数，线圈平均半径，为圆心到该点的距离，为真空磁导率。而圆心处的磁感应强度为 （3.3.2） 轴线外的磁场分布情况较复杂，这里简略。 二、亥姆霍兹线圈 亥姆霍兹线圈是一对彼此平行且连通的共轴圆形线圈，每一线圈N匝，两线圈内的电流方向一致，大小相同，线圈之间距离d正好等于圆形线圈的平均半径。其轴线上磁场分布情况如图3.3.2所示，虚线为单线圈在轴线上的磁场分布情况。这种线圈的特点是能在其公共轴线中点附近产生较广的均匀磁场区，故在生产和科研中有较大的实用价值，也常用于弱磁场的计量标准。 设为亥姆霍兹线圈中轴线上某点离中心点O处的距离，则亥姆霍兹线圈轴线上任一点的磁感应强度大小为 （3.3.3） 而在亥姆霍兹线圈轴线上中心O处磁感应强度大小为 （3.3.4） 三、双线圈 若线圈间距d不等于。设为双线圈中轴线上某点离中心点O处的距离，则双线圈轴线上任一点的磁感应强度大小为 （3.3.5） 四、霍尔效应、霍尔传感器 1.霍尔效应 霍尔效应是具有载流子的导体（或半导体）同时处在电场和磁场中而产生电势的一种现象。如图3.3.3（带正电的载流子）所示，把一块宽为b，厚为d的导电板放在磁感应强度为B的磁场中，并在导电板中通以纵向电流I ，此时在板的横向两侧面,之间就呈现出一定的电势差，这一现象称为霍尔效应，所产生的电势差UH称霍尔电压。霍尔效应的数学表达式为： UH＝RH RH是由半导体本身载流子迁移率决定的物理常数，称为霍尔系数。霍尔效应可以用洛伦兹力来解释。详见附页。 2.霍尔传感器 近年来，在科研和工业中，集成霍尔传感器被广泛应用于磁场测量，它测量灵敏度高，体积小，易于在磁场中移动和定位。本实验用SS95A型集成霍尔传感器测量载流圆线圈磁场分布，其工作原理也基于霍尔效应，即UH＝RH＝KHIB KH＝RH/d KH称为霍尔元件灵敏度，B为磁感应强度，I为流过霍尔元件的电流强度。理论上B为零时， UH也为零，但实际情况UH示值并不为零，这是由于霍尔元件所用的半导体材料结晶不均匀、各电极不对称等引起附加电势差U0 ，称为剩余电压。 本实验采用的SS95A型集成霍尔传感器由霍尔元件、放大器和薄膜电阻剩余电压补偿器组成，测量时输出信号大，剩余电压的影响已被消除。一般的霍尔元件有四根引线，两根为输入霍尔元件电流的“电流输入端”；另两根为霍尔元件的“霍尔电压输出端”。本实验在设计安装时，传感器、圆线圈的工作回路相互独立，并且传感器的工作电流已设定为标准工作电流（定值）。即KHI＝K（常数） 则有 UH＝KB K为常数 这样UH与B建立简单的正比对应关系，由UH值可得出B的示值。 【实验仪器】 实验装置见图3.3.4，FD-HM-?型磁场测定仪由圆线圈和亥姆霍兹线圈实验平台（包括两个圆线圈、固定夹、不锈钢直尺、铝尺）、高灵敏度毫特计和数字式直流稳流电源等组成。 一、实验平台 两个线圈各500匝，圆线圈的内径19.00cm、外径21.00cm、平均半径=10.00cm.。实验平台的台面应在两个对称圆线圈轴线上（台面中心横刻线与两个对称圆线圈轴线重合），台面上有相间1.00cm的均匀网格线。 二、高灵敏度毫特计 它采用两个参数相同的SS95A型集成霍尔传感器，配对组成探测器，经信号放大后，用三位半数字电压表测量探测器输出信号。该仪器量程0—2.000mT，分辨率为1 三、数字式直流稳流电源 它由直流稳流电源、三位半数字式电流表组成。当两线圈串接时，电源输出电流为50-200mA连续可调；当两线圈并接时，电源输出电流为50-400mA连续可调。数字式电流表显示输出电流时应注意： 图3.3.4 FD-HM-?型磁场测定仪 (1)开机后，应至