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1970年前，标准的MOS工艺是铝栅P沟道 * * 制造源、漏极与制造栅极采用两次掩膜步骤不容易对齐。这好比彩色印刷中，各种颜色套印一样，不容易对齐。若对不齐，彩色图象就很难看。在MOS工艺中，不对齐的问题，不是图案难看的问题，也不仅仅是所构造的晶体管尺寸有误差、参数有误差的问题，而是可能引起沟道中断，无法形成沟道，无法做好晶体管的问题。 * * 栅极做得长，同S、D重叠一部分 * * 将两次MASK步骤合为一次。让D，S和G三个区域一次成形。这种方法被称为自对准技术。 * * 1970年，出现了硅栅工艺 采用了自对准技术）。 多晶硅Polysilicon， 原是绝缘体，经过重扩散，增加了载流子，可以变为导体，用作电极和电极引线。 在硅栅工艺中，S，D，G是一次掩膜步骤形成的。先利用光阻胶保护，刻出栅极，再以多晶硅为掩膜，刻出S，D区域。那时的多晶硅还是绝缘体，或非良导体。经过扩散，杂质不仅进入硅中，形成了S和D，还进入多晶硅，使它成为导电的栅极和栅极引线。 * * * * 自对准的，它无需重叠设计，减小了电容，提高了速度。 无需重叠设计，减小了栅极尺寸，漏、源极尺寸也可以减小，即减小了晶体管尺寸，提高了速度，增加了集成度。 增加了电路的可靠性。 * * 1、硅片制备 在晶体生长过程中，掺入n型或p型杂质以形成n或p型材料，晶片又叫作衬底，它是生产过程所要求的初始材料．大多数衬底掺杂的浓度约为1015杂质原子／cm3．如果是n型衬底，对应的电阻率约为 3-5Ω·cm，如果是p型衬底，电阻率约为14-16Ω·cm． 2、前部工序 制版：图形的缩小和重复 具体步骤如下： 1．生长二氧化硅： 2．P阱光刻： 涂胶、掩膜对准、曝光、显影、刻蚀 3．去胶 4．掺杂：掺入B元素 光刻用掩膜1：P阱 1、淀积氮化硅 2、光刻有源区 3、场区氧化 4、去除有源区氮化硅及二氧化硅 5、生长栅氧 6、淀积多晶硅 光刻用掩膜2：有源区 光刻用掩膜3：多晶硅 1、P+区光刻 2、离子注入硼+，栅区有多晶硅做掩蔽，称为硅栅自对准工艺。 3、去胶 光刻用掩膜4：P+区 1、N+区光刻 2、离子注入磷+ 3、去胶 光刻用掩膜5：N+区 光刻用掩膜6：接触孔 1、淀积铝 2、光刻铝 光刻用掩膜7：铝引线 光刻用掩膜8：钝化孔 各个器件在电学上相互隔离 用接触孔和互连材料将各个独立的器件连接起来 接触和互连的基本工艺步骤为： 1）为减小接触电阻，在需要互连的区域先进行高浓度掺杂 2）淀积一层绝缘介质层 3）通过光刻在该介质层上制作出接触窗口，称为欧姆接触孔； 4）淀积互连材料膜（比如Al、Cu） 5）光刻出互连线的图形 中测打点 后部封装 （在另外厂房） （1）背面减薄 （2）切片 （3）粘片 （4）压焊：金丝球焊 （5）切筋 （6）整形 （7）封装 （8）沾锡：保证管脚的电学接触 （9）老化 （10）成测 （11）打印、包装 * 1 * 光刻类似于照相。 3个主要步骤：曝光、显影、刻蚀 3种设备和器材：光刻胶、掩模版和光刻机 掩膜版和光刻胶： 光刻胶：正胶和负胶 * 光刻过程如下： 1．涂光刻胶 2．掩膜对准 3．曝光 4．显影 5．刻蚀：采用干法刻蚀（Ery Eatching） 6．去胶：化学方法及干法去胶 1 丙酮中，然后用无水乙醇 2 发烟硝酸 3 等离子体的干法刻蚀技术 * * * * Start with a Silicon Wafer * Deposit a Layer of Silicon Dioxide * A “Mask” Layer We want to create this pattern on the silicon wafer * Spin a Photoresist Layer（光刻胶） * 涂胶 Uniform UV Light Illumination * Uniform UV Light Illumination * 曝光 Uniform UV Light Illumination positive Photoresist （正性光刻胶） 光照后形成可溶物质 * * 显影 Next we develop the photoresist * 刻蚀 Then we remove the photoresist * 去胶 Next, we want to implant the dopant ions * Uniform Implantation of dopant ions * * Uniform Implantation of dopant ions Diffusion at High Temperatures * Remove Silicon D