Study of Raman and PL Spectroscopy on Electron-irradiated GaN Epilayers.pdfVIP

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2018-03-28 发布于湖北
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Study of Raman and PL Spectroscopy on Electron-irradiated GaN Epilayers.pdf

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10O IMP HIRFLAnnualReport 2009 10 ions／cm ．From Fig．3wecanseewiththeinereaseofdose，thereflectancedecreases，maybedueto 3 surfaceroughnessincreasecausedbyirradiation．一 Fig．3isFTIR reflectancespectraof6H—SiC crystalirradiatedbyXe。 withadosefrom 1×1014t01．3 l ×10 ions／cm ．FromFig．3wecanseewiththeincreaseofdose，thereflectancefirstdecreases。thenin— 6 creases．Besides，adeep reflectiondip at930cm—wasobserved，thisisbecausetheimplanted1ayerhas been severelydamagedandamorphous．Itwasreportedthereststrahlenbandbetween75O～ 1000em一 is characteristicof6H-SiC withthelow frequencyrisingedgecloseto the6H—SiC transverseoptical TO S t phonon frequencyandthedipbeyondthehighfrequencyfallingedgeclosetothelongitudinaloptical LO U phononfrequency．Thereflectanceatthetopofthereststrahlenband issensitivetothesurfacecondition d oftheSiCmaterial／film。andthataroughsurfacecouldcausethereflectancetoydropfrom thelow frequen— cyedgetothehigh frequencyedge．Itwasindicated thattheamorphizationoftheimplanted layerisre— P01 sponsibleforthepresenceofthedeepreflectiondipat～930em一．Bycontrast。theamorphizationofthe implante