Van der Pauw Hall Measurement on Intended Doped ZnO Films for p-Type Conductivity.pdfVIP

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2017-08-26 发布于湖北
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CHIN．PHYS．LETT．Vo1．27，No．6(2010)067203 Van derPauw HallM easurementon Intended Doped ZnO Film sforP—Type C0nductiVity GUOYang(郭阳) ，LIUYap—Ping(~尧平)，LIJun—Qiang(李俊强)，ZHANGSheng—Li(张生利)， MEIZeng-Xia(梅增霞)，DUXiao—Long(杜小龙) Be ingNational Laboratory [orCondensedMatterPhysics，InstituteofPhysics}ChineseAcademyofSciences， Beijing100190 (Received9November2009) A VanderPauwHa11measurementisperformedontheintendeddopedZn0films(NadopedZnO)grown byusingthemolecularbeam epitaxialmethod．Allas-rgownsamplesshown—typeconductivity,whereas the annealedsamples(annealingtemperaturegH。 C)showma biguouscarrierconductivitytype(n-andp-type)in theautomaticVna derPauw Ha11measurement．A similra resulthas been observed j力LidopedZn0 na d抽 as-dopedZnO films othergroupsbefore．However，bytracingtheHaJJvoltageintheVanderPauw删 j measurement．扎 jsfOund thatthisalternativeapperana ceofboth n—andP—typeconductivity isnotintrinsic behavioroftheintended dopedZn0 films，butisduetothepersistentphotoconductivity effectin Zn0．The persistentphotoconductivity effectwouldstrongly affecttheaccuratedeterminationof曲ecrarierconductivi￡y typeofahighJvresistiveintendeddopedZn0 sample．． PACS：72，80．Ey,27 ．60．+g 73．50．Dn 73．50．Pz DOI：10．1088／0256—307X／27／6／067203 II—VIsem iconductorZnO hasattractedmuch at． (NadopedznO)grownbyusingthemolecularbeam tention forshortwavelength oDtl3electronic devices epitaxialmethodfMBE)．Itisobservedthatanalter— duetoitswidebandgap (3．37eV)andhighexci— nativecarrierconductivity-typecarrier(bothn-and tonbindingenergy(60meV)atroom temperature． P—type)appearsintheannealedZnOsamplesbythe Noveldevicessuch astransparentfield effecttran- Van