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维普资讯 工艺与制值 PROCESSING ＆MANUFACTURING 对先驱物的精确分析 工艺材料中的污染物会引起器件失效并影响成品率。但对于新材料。标准的分析认证 (COA)也许并不是想象 中的那么可靠。 于fabT程师来说，用于制造半导体器 和试验的结果，给出它们的目的是希望让大家意 PhilClancy ScottAnderson 件的化学品纯度极为重要。工艺材料 识到COA并非在任何情况下都是精确的，特别 AirUquide—Balazs 中的污染物会引起器件失效并影响成 是对于不同的新型材料。 AnalyticalServices 品率。因为大多数fab没有分析设备和专门技术 来在使用化学品之前对它们进行测试 ，所以只能 铪先驱物 完全依靠供应商提供的分析认证 (CQA)来了解 一 类越来越受到关注的材料是用来淀积铪的 工艺化学品的污染物浓度。典型的COA包含与 先驱物。铪氧化物薄膜是很可能用于COMS和下 痕量金属浓度有关的信息，例如在特定的某批材 一 代DRAM中的候选高介电常数 (高k)绝缘层 料内，但是很少或没有质量保证数据来支持这些 材料。通常用CVD或ALD来获得铪氧化物薄膜 ， 测量值的精确度和正确性。COA报告的浓度值 首先引入气相的铪先驱物，随后在晶圆表面发生 只能当为表面数值 ，同时还要假设分析方法经过 化学反应。为能成功用于生产中，理想的先驱物 适当的开发和验证，而给出的测量值确实是规范 必须具有足够的反应活性，并有足够的稳定性来 的实验室结果。 保证操作安全，而且具有合适的蒸汽压 ，同时也 对于许多工艺化学品，尤其是那些已经在市 要足够的纯净以保证得到的薄膜不会导致器件问 场上使用了很长时间的化学品来说，可靠的分析 题 (电流泄漏、阈值电压漂移等)。 方法已经得 以确立，随化学品一起提供的COA 虽然四 (二乙胺基)铪 (TDEAH)、四 (乙 通常是可靠的。然而，为了满足不断缩小的特征 基 甲胺基)铪 (TEMAH)和四 (二 甲胺基)铪 尺寸的严格要求，不同寻常的新型材料被迅速投 (TDMAH)等化合物的物理化学特性适合用于 入使用．分析实验室正承受着越来越大的对不熟 CVD和ALD，但是它们的纯度常常值得怀疑，因 悉的新奇材料里的污染物进行测试的压力。传统 为其中的污染物可以追溯到最初用于提纯铪的矿 测试方法对于常规材料的可靠性已经得到证明， 物质。铪有很多不同的来源 ，而最终材料中可能 但对于现在遇到的化学品则可能并不适用或不够 含有高浓度水平的锆 (1O00ppm)、钛和铝 精确。 (400ppb到400ppm)。随着人们对工艺需求了 解的深入 ，铪材料的规范一直在发展，而污染物 浓度将会进一步地降低。目前已经提出了与 1— 10ppb的正硅酸乙酯 (TEOS)类似的痕量金属 7O口c O．04乇 O．3乇 1．9乇 浓度规范 ，而且正在开发铪