嵌入式SRAM的优化修复方法及应用.pdfVIP

维普资讯 第 2O卷 第 1O期 计算机辅助设计与图形学学报 VoI．20，No．10 2008年 1O月 JOURNAIOFCOMPUTER—AIDEDDESIGN ＆ COMPUTERGRAPHICS 0ct．，2008 嵌入式 SRAM 的优化修复方法及应用 周清军 刘红侠 吴笑峰 王江安 胡仕目4 (西安 电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安 710071) (zhqj76@ 126．com) 摘 要 为 了提高 SRAM 的成 品率并降低其功耗 ，提出一种优化的SRAM．通过增加的冗余逻辑及电熔丝盒来代替 SRAM 中的错误单元 ，以提高其成品率；通过引入电源开启或关 闭状态及 隔离逻辑 降低其功耗．利用二项分布计算 最佳冗余逻辑 ，引入成 品率边 界因子判定冗余逻辑 的经济性．将优化 的SRAM64K×32应用到 SoC 中，并对 SRAM64K×32的测试方法进行 了讨论．该 SoC经 90nmCMOS工艺成功流片，芯片面积为 5．6mm×5．6mm，功耗 为1997mw．测试结果表明：优化的SRAM64K×32在每个晶圆上的成品率提高了9．267 ，功耗降低了 17．301 ． 关键词 高成品率 ；最佳冗余逻辑 ；成品率边界因子 ；低功耗 ；电源开启或关闭状态 中图法分类号 TN402 OptimizationofRepairingEmbeddedSRAM and itsApplication ZhouQingjun LiuHongxia WuXiaofeng W angJiang’an HuShigang (K YLaboratoryofMiist ofEducati0nforWidPBand—GapSere cond“ct0rMatPrz“fsnn DP cPs，XidiⅡL7 Prs打 ，Xia 710071) Abstract InordertoimprovetheyieldofSRAM andreduceitspowerconsumption，an optimized SRAM ispresented．RedundancylogicandE—fuseboxareaddedtoreplacethefaultyunitsofSRAM forhigheryield；poweron／offstatesandisolationlogicareintroducedtoreducepowerconsumption． Bymeansofbinomialdistributiontheoptimum redundancylogiciscalculatedandtheboundaryfactor of yield is introduced to determ ine whether the redundancy logic is worthy ． The optimized SRAM 64K ×32iSused inSoC andthetestingmethodoftheSRAM 64K ×32isdiSCUssed ． TheSoC designhasbeensuccessfullyimplementedinachartered90nm CMOSprocess．TheSoC chipoccupies 5．6ram ×5．6mm ofdieareaand consumes1997mW ．Thetesting resultsindicate thattheyield of SRAM64K×32sperwaferisimprovedby9．267V0andthepowersavingis17．301 ． Keywords higheryield；optimumredundancylogic；bounda