2.1 半导体三极管okk.pptVIP

第二章 三极管及其共射极基本放大电路 第一节 半导体三极管 一、三极管的结构类型 二、三极管的电流分配关系与放大作用 三、三极管的特性曲线 四、三极管的主要参数 五、三极管的型号命名规则 六、光电三极管与光耦合器件 七、片状三极管 一、三极管的结构类型 一、三极管的结构类型 一、三极管的结构类型 二、三极管的电流分配关系与放大作用 1、三极管放大的条件 二、三极管的电流分配关系与放大作用 二、三极管的电流分配关系与放大作用 二、三极管的电流分配关系与放大作用 三、三极管的特性曲线 三、三极管的特性曲线 三、三极管的特性曲线 四、三极管的主要参数 （一）共射极电流放大系数（表征三极管放大能力） 四、三极管的主要参数 1． 集电极最大允许电流ICM——当β下降到正常β值的70～30％时所对应的IC值。当IC超过这个值时，放大性能下降或损坏管子。 五、三极管的型号命名规则 六、光电三极管与光耦合器件 六、光电三极管与光耦合器件 六、光电三极管与光耦合器件 * * 模拟电子技术基础 1．三极管的分类 （1）按结构类型分：NPN和PNP。 （2）按所用半导体材料分：硅管和锗管。 （3）按用途分：放大管和开关管。 （4）按工作频率分：低频管、高频管和超高频管。 （5）按功率大小分：小功率管、中功率管、大功率管。 （6）按结构工艺分：合金管和平面管。 2．三极管的结构和表示符号 c-b间的PN结称为集电结(Jc) 中间部分称为基区，连上电极称为基极， 用B或b表示（Base）； 一侧称为发射区，电极称为发射极， 用E或e表示（Emitter）； 另一侧称为集电区和集电极， 用C或c表示（Collector）。 e-b间的PN结称为发射结(Je) 3．制造时的工艺特点 （1）基区做薄，掺杂浓度很低。 （2）发射区掺杂浓度远大于基区，使发射区有足够的载流子发射。 （3）集电区的面积比发射区面积大，保证有足够的收集载流子能力，同时也便于散热。 4．常见三极管外形 从外形来看，三极管都有三个电极，常采用金属、玻璃或塑料封装 。 三极管实物图片 内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 外部 条件 发射结正偏 集电结反偏 2、三极管的电流分配关系（以NPN型管为例） 调节实验电路的电位器RP可改变UBE并产生相应的基极电流IB，而IB的变化又将引起IC和IE的变化。每产生一个IB值，就有一组IC和IE值与之对应，实验所得数据见表2-1。 表2-1 三极管各电极电流分配情况 从数据中总结出以下结论——三极管的电流分配关系 （1）IE=IC+IB （2）IC=βIB （3）IE=IC+IB =（1+ β ）IB≈ IC 基极开路时，IB=0，IC=0.031rnA，这个微小的集电极电流 称为穿透电流ICEO。该值越小，三极管质量越好。 3．三极管的电流放大作用 （1）表2-1第4到5列看出，IB从60uA变化到80uA时， IC从2.10mA升到 2.80mA，则两变化量之比β =（2.80-2.10）/（0.08-0.06）=35，说明此时三极管IC的变化量为IB的变化量的35倍。 （2）三极管是一种电流控制器件，三极管的电流放大作用就是基极电流IB的微小变化控制了集电极电流IC较大的变化，放大的实质是小信号对大信号的控制。 （3）三极管具有放大作用时的电位关系： NPN管：UC＞UB＞UE； PNP管：UC＜UB＜UE 。 晶体管的电流分配关系动画演示 三极管各电极上电压和电流之间的关系曲线称之。 通常有输入特性曲线和输出特性曲线两种。 以共发射极电路为例： 图2-6 三极管特性曲线测试电路 图2-7 三极管输入特性曲线 1. 输入特性曲线 （1）输入特性是非线性的， 有死区。 （2）当UCE ≥1V，输入特性曲线几乎重合在一起，即UCE对输入特性几乎无影响。 死区电压: 硅管约为0.5V;锗管约为0.1V 导通电压: 硅管约为0.6-0.8V; 锗管约为0.2-0.3V 2. 输出特性曲线 （1）截止区——IB=0曲线以下的区域： IC=ICEO≈0，两结均反偏，各电极电流均约等于0， UCE≈UCC ；三极管相当于开关断开； （2）放大区——在输出特性曲线上IB ＞0和UCE ＞1V的曲线平坦区域 ： IC基本不随UCE变化仅受IB控制，IC=βIB，发射结正偏、集电结反偏，相当于受控电流源。 （3）饱和区——