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PCB芯片封装和图鉴 目 录 1 引言 1 2 封装主要考虑因素 1 3 封装发展进程 2 3.1 结构方面 2 3.2 材料方面 2 3.3 引脚形状 2 3.4 装配方式 2 4 具体的封装形式 2 4.1 TO 晶体管外形封装 2 4.2 DIP封装（双列直插式封装） 4 4.3 LCCC 无引线陶瓷芯片载体 6 4.4 PLCC封装（塑封有引线芯片载体） 7 4.5 SOP/SOIC封装 （小外形外壳封装） 7 4.6 QFP 方型扁平式封装（四边引线扁平封装） 9 4.7 PGA 插针网格阵列封装 13 4.8 BGA 球栅阵列封装（焊球阵列封装） 14 4.9 CSP 芯片尺寸封装（芯片规模封装） 19 4.10 MCM 多芯片模型贴装 21 5 IC封装前景展望 21 附录 23 附录：封装英文对照表 23 附录：IC封装图解大全 25 附录：芯片生产商的名录 27 1 引言 封装，就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。 元件封装（Footprint）或称为元件外形名称，其功能是提供电路板设计用，换言之，元件封装就是电路板的元件。　 由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造，因此它是至关重要的。衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。　　1、 芯片面积与封装面积之比为提高封装效率，尽量接近1：1； 　　2、 引脚要尽量短以减少延迟，引脚间的距离尽量远，以保证互不干扰，提高性能； 　　3、 基于散热的要求，封装越薄越好。　　封装主要分为DIP双列直插和SMD贴片封装两种。从结构方面，封装经历了最早期的晶体管TO（如TO-89、TO92）封装发展到了双列直插封装，随后由PHILIP公司开发出了SOP小外型封装，以 后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、 SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。从材料介质方面，包括金属、陶瓷、塑料、塑料，目前很多高强度工作条件需求的电路如军工和宇航级别仍有大量的金属封装。 DIP封装(70年代)-SMT工艺(80年代 LCCC/PLCC/SOP/QFP)-BGA封装(90年代)-面向未来的工艺(CSP/MCM)TO－DIP－PLCC－QFP－BGA －CSP 3.2 材料方面 金属、陶瓷－陶瓷、塑料－塑料； 引脚形状长引线直插－短引线或无引线贴装－球状凸点； 装配方式通孔插装－表面组装－直接安装 TO（Transistor Out-line）的中文意思是“晶体管外形”。这是早期的封装规格，例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252等等都是插入式封装设计。近年来表面贴装市场需求量增大，TO封装也进展到表面贴装式封装。TO252和TO263就是表面贴装封装。其中TO-252又称之为D-PAK，TO-263又称之为D2PAK。 D-PAK封装的MOSFET有3个电极，栅极（G）、漏极（D）、源极（S）。其中漏极（D）的引脚被剪断不用，而是使用背面的散热板作漏极（D），直接焊接在PCB上，一方面用于输出大电流，一方面通过PCB散热。所以PCB的D-PAK焊盘有三处，漏极（D）焊盘较大。 DIP是英文 Double In-line Package的缩写，即双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。 DIP(DualIn－line Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，引脚从封装两侧引出，其引脚数一般不超过100个。封装材料有塑料和陶瓷两种。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，使用时，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。 引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP