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Sheet2 Sheet1 铁损系数的计算 整机总的功耗 其他损耗 Da1的功率损耗 电解电容功耗计算 整流桥功耗计算 变压器功率损耗计算 DIODE功耗计算 MOSFET功耗计算 变压器理论计算调试平台 目录 封面 △V △V264 Dmax Dmax264 G Ip Ipp Iprms Iprms264 Is Isp Isrms Isrms264 Lp P Pbulk Pbulk264 Pc Pc264 Pchoke Pchoke264 Pco1 Pco1264 Pco2 Pco2264 Pd Pd264 Pda1 Pda1264 Pda264 Pdo Pdo2 Pdo26 Pdo264 Pin Pin264 Pmos Pmos1 Pmos2 Pmos264 Prs Prs264 Prx Prx264 Pt Pt264 RTpac RTpdc RTsac RTsdc Tc Tc1 Vdcmin Vdcmin1 Vinmin Vmax Vmax1 y ΔB ΔI ΔI264 输入电压（Vin） V.rms V 输入频率(fL) Hz 输入电容值（CK1） 整机效率（η） % 输出功率（P0) W s 实际Dmax的值 电流变化值ΔI 电流平均值IEDC A 次级侧电流Is(峰值) 次级侧电流Is(rms) V W 假定DIODE的额定电压 假定MOSFET的额定电压 输出电压Vo KRF 输入功率Pin 开关频率Fs BULK电容上最大直流涟波电压（VDCmax） 电容充电时间(tc) 实际BULK电容最小直流涟波电压(VDCmin) 假定BULK电容上最小直流涟波电压(VDCmin) 初级电感Lp μH P Uf Vin 初级侧圈数Np 次级侧匝数Ns 初级侧电流Ip（峰值） 初级侧电流Ip(rms) 变压器匝比N 注：调试变压器时，注意相关值的修改，每次调试时，黄色部分 为需要修改的地方 一次侧线圈数Np 磁通变化量△B BULK电容上的电压变化量△V △V为Ca1两端的电压 ●在Normal期间流过Da1的电流较小,其功耗为P2 COM-CHOKE损耗 整机总的损耗 P f 由于CHOKE两端都有损耗，故总损耗为P1*2. y=2.6527 Pcv ΔB Pcv值 相对误差(%) 取最近似的两点进行计算 对曲线50KHz,100oC的进行取点. x平均值 绝对误差 RTpdc L/S(sdc) L/S(pdc) RTsdc PC40 普通 編號 返回 版本 修訂記錄 版本 修訂內容 擬訂 審查 核準 1.0 首次發行 品保部 制造部 資材部 行政部 客服部 稽核中心 亚 源 科 技 股 份 有 限 公 司 ASIAN POWER DEVICES INC. 机种开关频率f (KHZ) 变压器设计占空比D 变压器一次侧峰值电流Ip(A) 变压器一次侧有效值电流Irms(A) 输入电压Vin(V) 亚 源 科 技 股 份 有 限 公 司 ASIAN POWER DEVICES INC. MOS关断期间漏源电压Vds(normal)(V) MOS通态电阻RDS(on) (Ω) MOS开通时间ton (ns) P1(开) (W) P2(关) (W) 设 计 参 数 开关 损耗 Rds(on) 损耗 P3(Rds损耗) (W) 总损耗 P总=P1+P2+P3 (W) 备注: 理论计算结果 MOS 功 耗 计 算 以 TOSHIBA 2SK3562Q 6A 600V的MOS为例(DA42I12机种选用),其零件规格书中的参数 Characteristic Test Condition MIN TYI MAX Drain-source ON resistance RDS (ON) 0.9Ω 1.25Ω ? 如下,在使用时候要考虑元件的实际使用环境(如下图1),根据实际使用环境选择参数: 图1: MOS Rds(on)与环境温度关系曲线图 说明:根据MOS Rds(on)与环境温度关 系图,设计MOS使用case温度为小 于120℃,漏源有效值电流小于 1.5A,故选择ID=1.5A曲线图(见 红线),对应的Rds(on)阻值1.5Ω 附录1: MOS Rds(on)参数的选取 附录2: MOS 开关时间以及漏源电压Vds的选取 实测值,详细的测试 方法参见附录2 DIODE 功 耗 计 算 输出满载电流io(A) 变压器一次侧圈数Np 变压器二次侧圈