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LED关键技术.doc
LED照明产业当红 关键技术指标不可不知
因应全球环保潮流,LED照明产业兴起,有大量科技公司投入此新兴产业,但由于LED照明信赖性能标准未能实时订定、妥为规范,导致大量产品无法通过考验、严重光衰收场,主要原因是无设计理论性研究为检视支柱,因而造成使用业主疑虑,也因此推迟产业发展时机。为LED照明解决方案供货商鑫源盛科技(Thermoking),提供了高性能LED路灯多项组件至灯具系统的各项重要技术指针规格数据,供业界参考。
在LED芯片与封装组件发光效率关键技术指针部分,鑫源盛科技表示,首要之LED芯片与封装组件关键技术,美、日厂商均已量产突破发光效率100~120lm/W以上,超越传统最高效率的HID光源(发光效率90~110lm/W),解决目前所有灯具照度不足≧45lm/W问题,满足道路照明寿命长光衰低符合国际标准平均照度,达25~40Lux规格与节能30~50%需求。
在LED发光效率、温升与寿命规格关键技术指针部分,检视CREE或Osram LED等业者所公布的数据,其芯片PN结工作温度Tj<85℃,方能确保工作寿命达5万小时,且芯片PN结至本身导热片(Tjs)温升为ΔT=6~15℃之间,另外LED光效率与工作温度成反比性能特性,每升高10℃,就会导致光衰5~8%并且寿命减半的严重后果,与一般宣传LED可工作于100℃寿命可达10万小时以上的观念相去甚远。
在LED路灯系统热传散热环境温度关键技术指针部分,鑫源盛科技指出,此类灯具系统工作温度不得高于85-10=75℃;工研院LED道路照明示范灯具规范规定,耐久性试验环境温度为60℃,因此路灯散热系统温升必须小于ΔT≦15℃。
以该公司150W LED路灯为例,热传散热系统温升测试低达ΔT≦12~15℃,计算其热阻值Tr=0.08~0.1℃/W,而一般设计系统温升测试ΔT≒30~40℃,计算其热阻值Tr=0.2~0.26℃/W,寿命将缩短2倍且光衰15%以上。另外以350W LED灯具测试,其散热系统温升仍能达成ΔT=15℃,热阻值Tr=0.04℃/W。
在LED路灯系统散热技术部份,鑫源盛科技表示,电子机器设备热传、散热方法有适用于小功率低阶自然散热方法,目前如MR16/PAR30由1~70W产品,系统温升已高达30~40℃。若超过100~250W仍使用自然散热方法,就如同目前市面上大部分产品,必须使用大量铝合金材料增加导热量和超大的热交换面积,体积重量15~30Kg不等。
低阶自然散热的定律为使用越重越大面积的金属材料来降低温度,效果越好,但仅铝合金材料成本即增加30~70美元;但若改用工业级高信赖性冷气机空调、计算机CPU等高阶大功率产品所使用之主动强制散热方法,高效率、军规的小风扇寿命保证5万小时,并具备IP65防水防尘等级,经过测试,灯具系统温升可低达ΔT≦12~15℃,与自然散热方法比较降温达20℃,寿命将增加2倍且光效率亮度增加15%以上。
此外,一般LCE灯具产品设计均未考虑到落尘防护系统,必需完全防止砂尘暴、重力落尘堆积于散热结构,以避免导致LED过热烧毁之问题。若散热结构朝向天面导致落尘堆积,热累积无法发散,将可能产生LED光衰及烧毁状况。鑫源盛科技表示,要解决以上问题,可设计采用散热结构朝向地面来因应。
其它抗盐雾测试等等,现有产品经户外测试时间1万5,000小时后,光衰<10%、状况良好。主干道路照明光学设计亦可达到世界标准,即10公尺高灯杆必须平均照亮横幅40公尺的长型路面,解决高难度光学镜片设计,达到高宽比1:4之要求。另外核心灯芯技术模块亦达到了轻巧化,不需依赖灯壳做为散热体,因此灯体外型设计可任意变化形状,达成各城市美观特色。
超薄屏幕专用的RGB MicroSIDELED芯片
欧司朗光电半导体(Osram Opto Semiconductors)新推出一款RGB MicroSIDELED芯片方案,据称能以极轻薄的设计供应高亮度,并能与导光板在内部结合,为讲究节省空间的产品提供背光。
这款全新的RGB MicroSIDELED方案具有三个独立的色彩芯片,根据所使用的LCD,能够在屏幕上传输超过100%的NTSC色域,适用于要求鲜明色彩的产品,如行动电话、笔记型计算机、导览系统和微型显示器。另外,该产品仅需20mA即可传输1,000mcd的高效率绿色光,每瓦功率高达50流明。
新的RGB MicroSIDELED也有出色的热阻效果,每片芯片都有自己的热接触导线。此外,可以连续驱动的LED也让电子设计有更大的弹性。体积小巧只有5.0 x 1.4 x 0.6mm,不含水银且符合RoHS标准制造,相当适用于讲究节省空间的显示器设计。
LED的测试方法及国家标准的制订
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摘 要:半导体发光二极管(LED)是新型的发光体,电
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