2007年天津工业大学硕士研究生入学考试试题.docVIP

2011-3-27 注意事项：1．本试卷共四道大题（共计21小题），满分150分； 2．本卷属试题卷，答案一律写在答题纸上，写在该试题卷上或草稿纸上均无效。要注意试卷清洁，不要在试卷上涂划； 3．必须用蓝、黑色钢笔或圆珠笔答题，其它笔答题均无效。 ﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡ 一、选择填空（每题3分，共30分） 1．电子在晶体中的共有化运动指的是＿＿。 A．电子在晶体中各处出现的几率相同 B．电子在晶体元胞中各点出现的几率相同 C．电子在晶体各元胞对应点出现的几率相同 D．电子在晶体各元胞对应点有相同位相 2．本征半导体是指＿＿的半导体。 A．不含杂质与缺陷 B．费米能级位于禁带中线 C．电阻率很高 D．电子浓度与空穴浓度的乘积等于本征载流子浓度的平方 3．硅中掺金的工艺主要用于制造＿＿器件。 A．高可靠性 B．高反压 C．高速开关 D．大功率 4．若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定＿＿。 A．不含施主杂质 B．不含受主杂质 C．不含任何杂质 D．处于绝对零度 5．重空穴指的是＿＿。 A．质量较大的原子组成的半导体中的空穴 B．价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴 C．价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴 D．自旋一轨道耦合分裂出来的能带上的空穴 6．根据费米分布函数，电子占据（EF+kT）能级的几率＿＿。 A．等于空穴占据（EF+kT）能级的几率 B．等于空穴占据（EF－kT）能级的几率 C．大于电子占据EF的几率 D．大于空穴占据EF的几率 7．若某材料电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料是＿＿。 A．金属． B．本征半导体 C．掺杂半导体 D。高纯化合物半导体 8．迁移率qτ/m*中的τ是载流子的＿＿。 A．渡越时间 B．寿命 C．平均自由时间 D．扩散系数 9．硅的导带极小值位于＿＿。 k空间的100 方向布里渊区中心到边界的0.85倍处 k空间的111 方向布里渊区中心到边界的0.85倍处 k空间的100 方向布里渊区边界点 k空间的111 方向布里渊区边界点 10．光电池是利用＿＿原理制成的。 A．激子吸收 B．光生伏特效应 C．光辐射 D．光电导效应 二．简答题（每题8分，共40 分） 1．何谓迁移率，影响迁移率的主要因素是什么？ 2．写出一维情况下，非平衡态半导体中载流子（空穴）运动规律的连续方程，并解释各项的物理意义。 3．何谓欧姆接触？金属与半导体形成欧姆接触的方法有哪些？ 4．比较同质结与异质结的性能。 5．画出PN结在正向、反向偏压作用下的能带图，并以此解释PN结的单向导电性。 三．计算题（共50分） 1．实验测得硅的晶格常数为０.543nm，计算Si 的原子体密度（单位体积内的原子个数）。（5分） 2． 光均匀照射在电阻率为6?cm的n 型硅样品上，电子—空穴对的产生率为4×10 21 cm-3s-1， 非平衡载流子寿命为8μs。计算光照前后样品的电导率。（15分） 3. 300k时锗的有效状态密度Nc＝1.05×1019cm－3，Nv＝5.7×1018cm－3，Eg＝0.67eV；500k时锗的Eg＝0.581eV；波尔兹曼常数 k0=1.380×10-23J/K，求温度为300k和500k时，含施主浓度ND＝5×1015cm-3，受主浓度NA＝2×109cm-3的锗中电子及空穴浓度为多少？（15分） 4．施主浓度ND=1015 cm－3的n型硅，由于光照产生了非平衡载流子△n=△p=1014 cm－3，室温下，Eg＝1.12eV；试计算这种情况下准费米能级的位置，并和原来的费米能级作比较。（15分） 四．证明题（每题15分，共30 分） 1．对于某n型半导体，试证明其费米能级在其本征半导体的费米能级之上。即EFnEFi。 2．写出并证明非平衡载流子的衰减规律，说明式中各项的物理意义。 2007年天津工业大学硕士研究生入学考试试题 试题编号：421 试题名称：半导体物理 第1页（共3页）