ESD教育报告_kongfanzhong_050411.ppt

/11 * /11 一、教育时间及地点 二、教育内容 三、学习主要内容 四、 LPLNJ静电防护情况 五、结论 六、改善方向 目 录 ESD防护高级研修班教育报告 2005.04.10 １年 保存年限 情报编号 LPLNJ/设备技术Team N1设备Part/孔凡忠 总经理 总工程师 Team 长 Part 长 担当 裁 决 ESD教育报告 一.教育时间及地点： 2005年4月06日~07日 深圳南山科技园清华研究院 二.教育内容： 1. 什么是静电和静电放电 2. IT生产中的静电问题及危害 3. 如何控制静电放电 4. 静电控制的标准和指导原则 5. 静电放电测量与防治措施 6. 电子设备抗静电放电试验，诊断和加固 7. 实例介绍 三.学习主要内容： 1） EOS(Electro Over Stress)过电应力 EOS是指规定电压或电流大的电压/电流强的术语；进一步讲EOS是器件里流着比规定的值高的电压或电流。 EOS也可以在硬件上造成无法修复的破坏，对半导体产生致命的损坏。也会给Metal Lines造成Open/Short不良。 EOS产生的主要原因有：低的电压供给, 测定中电压突然中断, 以非标准动作模式Board Test等。 1.EOS和ESD定义及特点 2） ESD(Electro Static Discharge)静电放电 两个带电物体间电位有差异, 为了达到电位的平衡，在两个带电物体之间会进行能量的交换. 这种能量交换的现象被称为ESD(Electro Static Discharge). 静电是通过电子或离子的转移而形成的；处与不同静电电位的两个物体间的静电荷的转移就是静电放电。转移方式有多种，如接触放电，空气放电等 2005年4月10日 ESD教育报告 3） EOS与ESD的特点对比 EOS由于作用时间相对较长，能量大对器件的损伤一般都有明显的痕迹.往往有金属熔化、材料表面颜色或形态发生变化等现象，而且损伤面积较大 ESD对器件造成的损伤与ESD的电压大小、放电回路的阻值高低以及器件本身的耐受能力有关.ESD损伤多发生在电极或扩散区之间，往往有明显的指向性，相对与EOS来说损伤面积较小 2005年4月10日 2.EOS/ESD造成的IC不良 MOS-IC器件在Gate电极下介质层使用的是绝缘膜约500?的极薄的氧化膜(SiO2). 对于SiO2的电介质绝缘破坏在临界场强为（7-10）*10 V/cm时，介质层就很容易击穿，使IC非正常工作. 作为厚薄氧化层交接的栅极介质，应力较集中，所以介质击穿强度较低，像上图往Gate电极部(G)接入静电等异常脉冲的话，氧化膜(SiO2)绝缘层遭到破坏. 计算表明，当人体电容为100pF、放电电阻为200ohm时，作为静电放电源的人体静电势，只要有1100V就可以使62.5nm厚度的氧化层被破坏，而目前一般IC的栅氧化层只有几个nm. 金属氧化物绝缘层的击穿是主要的因素，构成氧化物电介质两端的电压在电介质特性异常时电介质会被击穿，绝缘体也随之遭破坏。 对于CMOS硅栅器件，静电放电会造成的潜在损伤会使N沟道出现栅-源管道漏电，使P沟道器件栅-源出现二极管特性，对电路正常工作造成影响 CMOS栅极氧化层被击穿 6 失效部位 1） 过电压场致失效 静电放电失效机理可分为过电压场致失效和过电流致失效，实际发生哪种失效取决于静电放电回路的绝缘层厚度. ESD教育报告 2005年4月10日 过电流热致失效是由于较低阻抗的放电回路中，由于静电放电电流过大使局部区域温度超过材料的熔点，导致材料发生局部熔融使元器件失效。（IC中一般使用的硅熔点为1415度） 影响过电流失效的主要因素是功率密度： a.静电量Q越大，ESD损伤危险性越大 b.在静电量Q相同时候，元器件的放电回路中电阻、电容越大， 放电时间长，功率就越小，静电损伤性就越小 c.增加放电回路中的串联电阻和电容是减小ESD损伤的有效途径 2） 过电流热致失效 3. ESD 说明模型 1） 带电人体的放电模式（HBM） ESD人体模型---外部能量源或者是本身自带的能量放电的情况，称为HBM. 在MIL-STD(Military Standard)测定时，电阻为1500?，电容为100pF.基本的测定电路如下图所示： 人体内存在着电阻和电容，由于人体有许多种作业动作，产生数千数万伏的静电.当接触部品时，静电将在瞬间放电，发出数千瓦的电力，损坏部品. Vp Cp Rp ESD教育报告 2005年4月10日 机器模型是通过接地或其它影响等把机器内静电能量储蓄状况进行了模型化。