单晶硅电池的扩散原理与因素.pptVIP

硅的结构 扩　散－－机制 扩散的原理  绒面产生原理 腐蚀速率快慢由下列三个反应速度来决定。 1、腐蚀液流至被腐蚀物表面的移动速率； 2、腐蚀液与被腐蚀物表面产生化学反应的反应速率； 3、生成物从被腐蚀物表面离开的速率。 1、水分子的屏蔽效应（screening effect）阻挡了硅原子与OH根离子的作用，而水分子的屏蔽效应又以原子排列密度越高越明显。 2、在{111}晶面族上，每个硅原子具有三个共价健与晶面内部的原子健结及一个裸露于晶格外面的悬挂健，{100}晶面族每一个硅原子具有两个共价健及两个悬挂健，当刻蚀反应进行时，刻蚀液中的OH－会跟悬挂健健结而形成刻蚀，所以晶格上的单位面积悬挂健越多，会造成表面的化学反应自然增快。 影响因素分析 各个因素作用 对反应速度的影响 不同IPA浓度下温度和NaOH溶液浓度对反应速度的影响 关键因素的分析 ——NaOH的影响 关键因素的分析 ——温度的影响 关键因素的分析 ——IPA浓度的影响 如何检测硅酸钠含量 硅酸钠具体含量测量是没必要的，只要判定它的含量是否过量即可。实验是用100%的浓盐酸滴定，若滴定一段时间后出现少量絮状物，说明硅酸钠含量适中；若滴定开始就出现一团胶状固体且随滴定的进行变多，说明硅酸钠过量。 背电极 前电极 由