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IGBT驱动芯片IXDN404应用及改进摘要：介绍了IXYS公司大功率IGBT驱动芯片IXDN404的特点及性能，并在此基础上，根据IGBT驱动的实际要求，设计出了一种具有过流保护及慢关断功能的简单有效的驱动电路，给出了实际电路图和驱动波形。 IGBT；驱动与保护；IXDN404 引言 绝缘栅晶体管IGBT是近年来发展最快而且很有前途的一种复合型器件，并以其综合性能优势在开关电源、UPS、逆变器、变频器、交流伺服系统、DC/DC变换、焊接电源、感应加热装置、家用电器等领域得到了广泛应用。然而，在其使用过程中，发现了不少影响其应用的问题，其中之一就是IGBT的门极驱动与保护。目前国内使用较多的有富士公司生产的EXB系列，三菱公司生产的M579系列，MOTOROLA公司生产的MC33153等驱动电路。这些驱动电路各有特点，均可实现IGBT的驱动与保护，但也有其应用限制，例如：驱动功率低，延迟时间长，保护电路不完善，应用频率限制等。本文，以IXYS公司生产的IGBT驱动芯片IXDN404为基础，介绍了其特性和参数，设计了实际驱动与保护电路，经过实验验证，可满足IGBT的实际驱动和过流及短路时实施慢关断策略的保护要求。1 IXDN404驱动芯片简介 IXDN404为IXYS公司生产的高速CMOS电平IGBT/MOSFET驱动器，其特性如下： --高输出峰值电流可达到4A； --工作电压范围4.5V～25V； --驱动电容1800pF15ns； --低传输延迟时间； --上升与下降时间匹配； --输出高阻抗； --输入电流低； --每片含有两路驱动； --输入可为TTL或CMOS电平。 其电路原理图如图1所示，主要电气参数如表1所列。 表1 IXDN404主要电气参数 符 号 参? 数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 Vih 输入门限电压，逻辑1 空 3.5 空 空 V Vil 输入门限电压，逻辑0 空 空 空 0.8 V Voh 输出电压，逻辑1 空 Vcc－0.025 空 空 V Vol 输出电压，逻辑0 空 空 空 0.025 V Ipeak 峰值输出电流 Vcc=18V 4 空 空 A Idc 连续输出电流 Vce=18V 空 空 1 A tr 上升时间 C1=1800pF Vcc=18V 11 12 15 ns tf 下降时间 C1=1800pF Vcc=18V 12 14 17 ns tond 上升时间延迟 C1=1800pF Vcc=18V 33 34 38 ns toffd 下降时间延迟 C1=1800pF Vcc=18V 28 30 35 ns Vcc 供电电压 空 4.5 18 25 V Icc 供电电流 Vin=＋Vcc 空 空 10 μA 2 驱动芯片应用与改进 图2为IXDN404组成的IGBT实用驱动与保护电路，该电路可驱动1200V/100A的IGBT，驱动电路信号延迟时间不超过150ns，所以开关频率图2由IXDN404组成的IGBT保护与驱动电路图1IXDN404电路原理图可以高达100kHz。可应用于DSP控制的高频开关电源、逆变器、变频器等功率电路中。根据IXYS公司的使用手册，IXDN404仅能提供0～＋Vcc的驱动脉冲。我们在此基础上，增加5.1V稳压二极管Z3以实现－5V偏置电压；由稳压管电压为光耦6N137和反相器CD4069供电，节省了一路驱动电源；增加降栅压及慢关断保护电路，实现IGBT的保护功能；降栅压及慢关断电路是通过控制IXDN404供电电压Vcc来实现的，明显不同于其它保护电路的前级降压控制方式。下面介绍其工作原理。 2.1 正常开通过程 当控制信号为高电平时，快速光耦6N137导通，经过一级反相，输入IXDN404，输出＋15V脉冲，IGBT正常导通。同时，由于光耦输出为反相，V4截止，V5导通，C1由电源充电，C1电压不会超过9V，这是因为IGBT正常导通时Vces不高于3V，二极管D2导通，A点电位箝位在8V，加上电阻R10的压降，C点电位接近9V。Z1截止，V2截止，V1导通，B点电位接近20V；Z2截止，V3截止，D点电位接近B点电位。C1充电时间常数τ1=R9×C1=2.42μs，C1充电到9V的时间为 t1=τ1ln[20/(20-19)]=1.45μs??? （1） 2.2 正常关断过程 当控制信号为低电平，光耦输出高电平，反相输出低电平，由于Z3箝位IXDN404输出脉冲为－5V，IGBT正常关断。这时，V4导通，V5截止，C点电位保持在9V；Z1截止，V2截止，V1导通，B点电位接近2