09级半导体器件物理期末A卷.docVIP

常州信息职业技术学院 2010 －2011 学年第 一 学期　半导体器件物理　　课程期末试卷 班级 　　　姓名 　　　　学号 　 　　　成绩　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　装　　　　　　　　　　　　　订　　　　　　　　　　　　线　　　　　　　　　　　　　　　　　 项目 一 二 三 四 五 总分 满分 100 得分 选择题：（含多项选择， 共30分，每空1分，错选、漏选、多选均不得分） 1．半导体硅材料的晶格结构是（ ） A 金刚石 B 闪锌矿 C 纤锌矿 2．下列固体中，禁带宽度Eg最大的是（ ） Ａ 金属　　　　　Ｂ 半导体　　　　　Ｃ 绝缘体 3．硅单晶中的层错属于（ ） Ａ 点缺陷 Ｂ 线缺陷 Ｃ 面缺陷 4．施主杂质电离后向半导体提供（ ），受主杂质电离后向半导体提供（ ），本征激发后向半导体提供（ ）。 A 空穴 B 电子 5．砷化镓中的非平衡载流子复合主要依靠（ ） A 直接复合 B 间接复合 C 俄歇复合 6．衡量电子填充能级水平的是（ ） Ａ 施主能级　　 Ｂ 费米能级　　 Ｃ　受主能级 D 缺陷能级 7．载流子的迁移率是描述载流子( )的一个物理量；载流子的扩散系数是描述载流子( )的一个物理量。 A 在电场作用下的运动快慢 B 在浓度梯度作用下的运动快慢 8．室温下，半导体Si中掺硼的浓度为1014cm－3，同时掺有浓度为1.1×1015cm－3的磷，则电子浓度约为（ ），空穴浓度为（ ），费米能级（ ）；将该半导体升温至570K，则多子浓度约为（ ），少子浓度为（ ），费米能级（ ）。（已知：室温下，ni≈1.5×1010cm－3，570K时，ni≈2×1017cm－3） A 1014cm－3 B 1015cm－3 C 1.1×1015cm－3 D 2.25×105cm－3 E 1.2×1015cm－3 F 2×1017cm－3 G 高于Ei H 低于Ei I 等于Ei 9．载流子的扩散运动产生（ ）电流，漂移运动产生（ ）电流。 A 漂移 B 隧道 C 扩散 10．下列器件属于多子器件的是（ ） Ａ 稳压二极管　 　Ｂ 肖特基二极管　　 Ｃ 发光二极管 D 隧道二极管 11．平衡状态下半导体中载流子浓度n0p0=ni2，载流子的产生率等于复合率，而当npni2时，载流子的复合率（ ）产生率 Ａ 大于　　　　Ｂ 等于　　　　Ｃ 小于　　 12．实际生产中，制作欧姆接触最常用的方法是（ ） Ａ 重掺杂的半导体与金属接触 Ｂ 轻掺杂的半导体与金属接触 13．在下列平面扩散型双极晶体管击穿电压中数值最小的是 （ ） A BVCEO B BVCBO C BVEBO 14．MIS结构半导体表面出现强反型的临界条件是（ ）。（VS为半导体表面电势；qVB=Ei-EF） A VS=VB B VS=2VB C VS=0 15．晶体管中复合与基区厚薄有关，基区越厚，复合越多，因此基区应做得 （ ） A．较厚 B．较薄 C．很薄 16．pn结反偏状态下，空间电荷层的宽度随外加电压数值增加而（ ）。 A．展宽 B．变窄 C．不变 17．在开关器件及与之相关的电路制造中，（ ）已作为缩短少数载流子寿命的有效手段。 A 钝化工艺 B 退火工艺 C 掺金工艺 18．在二极管中，外加反向电压超过某一数值后，反向电流突然增大，这个电压叫（ ）。 A 饱和电压 B 击穿电压 C 开启电压 19．真空能级和费米能级的能值差称为（ ） A 功函数 B 亲和能 C 电离电势 20．平面扩散型双极晶体管中掺杂浓度最高的是（ ） A 发射区 B 基区 C 集电区 21．栅电压为零，沟道不存在，加上一个负电压才能形成P沟道，该MOSFET为（ ） A P沟道增强