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Flyback 組成群組835_Click 1. MOSFET : Turn on Turn off = Flyback Converter Design 法拉第感應電勢定律 MOS = Turn on D =Turn off 2. MOS = Turn off D =Turn on VNp VNs 1. = 電感 2. 圈數 (ψ= B x Ae) B : Gauss Ae : c㎡ (Vs = Vo+Vd) A.動作原理分析 VQ / Ip VD / Is 已知規格 3. 4. 5. 5. 工作週期 D(設定值) 圈數比 n Po = 60W (12V/5A) Vac = 90~264 設定值 D = 0.45 K = 0.3 3. 選擇變壓器 Ae : 1.18 c㎡ CORE : PQ2625 BOBBIN 槽寬 : 13.7 mm 槽深 : 3.5 mm 輔助繞組電壓 : 15V 4. 一次側感量 Lp B : 2500Gauss 圈數Np,Ns,Nv 工作頻率 f = 65kHz T = 15.4us Toff = 8.5us Ton = 6.9us Input (Vac) Cin (uF/Watt of Po) Vmin (V) Universal(90~264) 2~3 電容值(PI建議) 耐壓值 3. 選用 400V/150uF ------- (1) 帶入(1)式 6. (PI建議 : 500CMA200) Np所需CM值 Ns所需CM值 電流密度 7. 假設CMA300 線徑選擇,變壓器繞製(三明治繞) 1) Np圈數 32Ts(Np-1 : 16Ts / Np-2 : 16Ts) 2) Ns圈數 5Ts 3) Nv圈數 7Ts MOS規格選用 1) 耐壓(Vds) : 264Vac時,Vds最大 3) 除Vds以及Id外還需考慮Rds(on),以及溫昇的問題 實際Vds會比計算值還大(考慮漏電感造成的電壓波尖) 2. 輸出DIODE規格選用 1) 耐壓(Vd) : 264Vac時,Vd最大 實際Vd會比計算值還大(考慮漏電感造成的電壓波尖) 2) 耐電流(Id) 3) 一般會選用Schottky-Barrier Diode(SBD),因為SBD沒有逆向儲存時間(trr)的問題, 較適用於大電流整流用. Ripple current B.BUCK 電容 D.MOSFET及輸出DIODE選用 E.輸出整流電容 於輸入85V,最大工作週期一般設定在0.4~0.5之間 K值(設定值) :於85V與滿載輸出時,一次側電流波谷與波峰比值 電流連續模式(CCM) : 0~1(PI 建議 0~0.6) 電流不連續模式(DCM) : 0 2) 耐電流(Id) : 電容值(△V設定愈小,Vripple愈小,所需電容值愈大) 1)足夠的Iripple 2)足夠的電容值 電容選擇 3)Low ESR type較適用於整流電路 C.變壓器設計 變壓器公式推導 選擇 0.35ψ兩條,可以整繞,CM值為 190.4 x 2 = 380.8 369 選擇三層絕緣線(TEX-E) 0.85ψ兩條,可以整繞,CM值為 1225 x 2 = 2450 ≒2607 選擇 0.25ψ一條,因輔助電源所需電流很小,CM值可不計. Nv辅助绕组 13.7MM是变压器槽宽 怎么得来的？ 計算Lp時,先要算出Vmin,ΔI 这个Vmin是否可以是Vac,min+ΔV，ΔV是纹波电压 Lp : uH
R Times New 0 Set.13.2006 90.00 230.00 1.00 230.00 Ns Co Vo/Io Np Vin Q D Ton T Vin Ton Toff T Iavg Iavg.on Ip Iv fL : line frequency(60Hz) tc : conduction angle(3ms) η: efficiency Ns,Nv同極性,所以電壓比等於圈數比 Np-1 Ns Np-2 Nv 13.7mm 3.5mm 0.38mm 1.10mm 0.38 mm 0.28mm 1.因二次側使用三層絕緣線,故可 以不使用margin tape. 2.於Np和Ns間加EMI sheilding. 3.總共8層絕緣tape(每層厚度約 0.08mm),繞線總使用厚度 0.38x2+1.1+0 .28+0.3x2+0.08x8=3.38mm 可整繞 Is Io Vo Vo Ic ΔVo ΔQ1 ΔQ2 ΔQ1 = ΔQ2 Ton Tof