第1章 半导体器件域模型.pptVIP

1)当υDS增大到一定值时，场效应管电流iD急剧增长，这时管子进入击穿区，对应的υDS称为漏源击穿电压，用V(BR)DS表示; 2)击穿时的υGS值称为栅源击穿电压，用V(BR)GS表示 ; 1.??? 增强型MOS场效应管 输出特性曲线 击穿区: 1.??? 增强型MOS场效应管 转移特性曲线 υGS一定时，υBS也可控制iD υBS是负压,保证PN结反偏 2.?????? 耗尽型MOS场效应管 1.5.2 结型场效应管 1. 结型场效应管的结构和工作原理 全夹断:当使栅源间反偏电压|υGS|增大 到一定值时，耗尽层占满整个沟道，iD≈0。 栅源电压υGS为夹断电压，用VP表示 iD的产生使沟道的 宽度出现不均匀 ； 当υDS＝υGS－VP 时，出现为预夹断 iD与VDS几乎无关 1.5.2 结型场效应管 2.结型场效应管的伏安特性曲线 1.5.4 场效应管的转移特性与电路模型 IDSS：υGS＝0时的漏极电流， 称为饱和漏极电流 在饱和区： 1.5.4 场效应管的转移特性与电路模型 2.?????? 场效应管的小信号等效电路 式中λ＝－1／VA （厄尔利电压 ） 利用定义可求出各参数： 2.?????? 场效应管的小信号等效电路 1.5.5场效应管的主要参数，FET与三极管的比较 1.?????? 场效应管的主要参数 饱和漏电流IDSS :源、栅短路时，漏源所加电压大于夹断电压Vp时 的沟道电流 开启电压VGS（th)和夹断电压Vp 直流输入电阻RGS ：输入端（栅源间）对直流所呈现的电阻 导通电阻Ron ：输出特性曲线在非饱和区内的斜率的倒数 跨导gm 动态漏极电阻rds 极间电容 极限参数：最大漏源击穿电压V(BR)DS、最大栅源击穿电压V(BR)GS、最大漏源电流IDM和最大漏极耗散功率PDM等 2.场效应管与半导体三极管的比较 1)场效应管为电压控制器件，是一种单极型的器件。温度特性较好;半导体三极管为电流控制器件，多子和少子均参与导电，是一种双极型的半导体器件。 2)半导体三极管工作在放大状态时，输入电阻较小，约几千欧。JFET栅源间的PN结为反向偏置，输入电阻更高。 3）由为避免栅极击穿，焊接管子时，烙铁外壳接地要好；测试仪器也应有良好接地，防止仪器漏电；管子存放时，应使MOS管的栅极与源极短接，不允许栅极悬空等。 4）半导体三极管的发射极和集电极不能互换。而MOSFET、JFET漏极和源极可以互换使用。但要注意，分立元件的场效应管，有时厂家已将衬底与源极在管内短接，这时漏极、源极也不能互换使用。 5）场效应管的噪声系数比三极管的要小 2.场效应管与半导体三极管的比较 6）正常工作时，耗尽型MOSFET的栅极电压可以是正压，也可以是负压，灵活性较大。而增强型MOSFET、JFET的栅极电压和半导体三极管的基极偏压只能是一种极性。 7）MOSFET工艺最简单（与JFET、三极管相比），功耗又小，封装密度极高，适用于大规模，超大规模集成电路中。 8）半导体三极管具有跨导大、电路增益高、非线性失真小、性能稳定等优点，所以在分立元件电路和中、小规模模拟集成电路中，三极管电路占优势。 9）场效应管在小电流、低电压（υDS＜VDS（sat））工作时，漏源间可以等效为受栅压控制的可变电阻器，即压控电阻器。场效应管的这一特点被广泛应用于自动增益控制或电压控制衰减器 1.?????? 埃伯尔斯-莫尔方程的导出 正向工作区 υBE＞0、υBC＜0（或υCB＞0） 1.4.5 半导体三极管的Ebers－Moll方程和电路模型 2.?????? EM方程与电路模型 饱和区 υBE＞0，υBC＞0（或υCB＜0） 1.4.5 半导体三极管的Ebers－Moll方程和电路模型 2.?????? EM方程与电路模型 截止区 两个结均处于反向偏置 1.4.6 三极管的小信号模型 vBE vCE — + - + iC iB VBEQ VCC + — vi RC vi＝0时对应的偏置电流电压值为静态偏置值。 加入vi，电路中的瞬时值为静态值与交流瞬时值的叠加。如 vi较小时，其对应变化范围内的输入输出特性可视为直线，此时的非线性器件三极管可等效为线性器件来进行分析。 小信号的范围 VBEQ对应的静态电流为 时，上式可展开成幂级数 忽略二次方及以上项可得: 三极管的