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* * * * * * * * * * * * * * * Plasma-enhanced CVD * Plasma-Enhanced CVD (PECVD) 利用等离子体激发化学反应，可以在较低温度下沉积; 包含了化学和物理过程。 Chapter5 Preparation of Materials * PECVD system Chapter5 Preparation of Materials 等离子体种类： 辉光放电等离子体（glow-discharge plasma）； 使用高频电磁场（例如频率为2.45GHz的微波） 射频等离子体（RF plasma）； 使用13.56MHz的射频场 电弧等离子体（arc plasma）。 低频率（约1MHz）、高电功率（1~20MW） * Chapter5 Preparation of Materials PECVD的优缺点 优点： 工件的温度较低，可消除应力； 同时其反应速率较高。 缺点 无法沉积高纯度的材料； 反应产生的气体不易脱附； 等离子体和生长的镀膜相互作用可能会影响生长速率。 * Chapter5 Preparation of Materials * Chapter5 Preparation of Materials PECVD 应用实例 * Chapter5 Preparation of Materials Photo CVD 利用光能使分子中的化学键断裂而发生化学反应，沉积出特定薄膜。 缺点是沉积速率慢，因而其应用受到限制 * Chapter5 Preparation of Materials * Equipment of PHCVD PHCVD 设备 Chapter5 Preparation of Materials CVD技术中使用激光： Thermal-Laser CVD 利用激光产生的热 理论上热CVD沉积的材料都可以用热激光CVD沉积。 Photo-laser CVD 利用激光的光能 是PHCVD的一种 * Chapter5 Preparation of Materials Photo-laser CVD装置结构图 * Chapter5 Preparation of Materials 常压下进行沉积 扩散控制 沉淀速度快 易产生微粒 设备简单 * 常压化学气相沉积法（APCVD）Atmospheric Pressure CVD Chapter5 Preparation of Materials * 用于沉积SiO2的连续冷壁式常压CVD反应器 Chapter5 Preparation of Materials 沉积压力低于100torr 表面反应控制 可以沉积出均匀的、步覆盖能力较佳的、质量较好的薄膜 沉淀速度较慢 需低压设备 * 低压化学气相沉积法（LPCVD）Low Pressure CVD Chapter5 Preparation of Materials Low pressure CVD 热壁式LPCVD示意图 * Chapter5 Preparation of Materials * Low pressure CVD Chapter5 Preparation of Materials * Equipment of LPCVD LPCVD设备 Chapter5 Preparation of Materials 5.2.2.2 CVD的化学反应类型 Reaction Type in CVD 热分解； 氢还原； 卤化物的金属还原； 氧化和水解； 碳化和氮化。 * Chapter5 Preparation of Materials * 氢化物热分解： 氢化物M-H键的离解能、键能都比较小，热解温度低； 唯一副产物是没有腐蚀性的氢气 热分解反应thermal-decomposition Chapter5 Preparation of Materials * 卤化物热分解 羰基化合物热分解 Chapter5 Preparation of Materials * Heat decomposition 烷氧化物热分解 金属有机化合物与氢化物体系的热分解 Chapter5 Preparation of Materials * 反应温度较低 广泛应用于过渡金属从其卤化物中沉积出来 非金属元素（如硅和硼）卤化物的氢还原——半导体和高强度纤维制造 氢还原反应Hydrogen Reduction Chapter5 Preparation of Materials 金属还原反应Metal Reduction 利用金属蒸气还原卤化物 考虑因素： 金属沸点 卤化物副产物沸点 金属还原性 * Chapter5 Preparation of Materi