1.2 半导体二极管及其特性.pptVIP

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2017-08-23 发布于河南
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1.2 半导体二极管及其特性 1.2.1 二极管的结构与类型 1.2.2 二极管的伏安特性死区电压Uth 导通电压U D(on) 反偏截止；反向击穿，反向击穿电压U(BR) 三、温度对二极管特性的影响在室温附近，温度每升高 1?C，正向导通压降约减小 2 ~ 2.5mV 。温度每升高 10?C，反向电流约增大一倍。 1.2.3 二极管的主要参数 1.2.3 二极管的主要参数 1.2 复习要点 * * 1.2.1 二极管的结构与类型 1.2.2 二极管的伏安特性 1.2.3 二极管的主要参数点接触型平面型适用高频、小电流适用低频、大电流主要用于集成电路面接触型常见的普通二极管外形一、伏安方程式中 IS ——反向饱和电流 UT ——温度电压当量常温下（T=300K）: UT = 26mV uD ＋ _ iD 二、伏安特性曲线具有单向导电性，在电路中可用作开关。导通后具有恒压特性。应避免工作于反向击穿区可见： PN结未损坏，可逆。电击穿：热击穿： PN结烧毁，不可逆。讨论：硅管和锗管的伏安特性有何异同？硅管的死区电压大些，但反向电流小得多；反向工作电压较高；允许的最高结温高。实用中多用硅管死区电压门坎电压 Uth = 0.5 V 0.1 V (硅管) (锗管) UD(on) ? 0.7 V 硅管 0.2 V 锗管导通电压温度升高时，正向导通压降减小，反向电流增大。 (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压UBR和最大反向工作电压URM U(BR) / 2 指二极管长期运行允许通过的最大正向平均电流。指允许施加在二极管两端的最大反向电压。 (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压UBR和最大反向工作电压URM (3) 反向电流IR (4) 最高工作频率 fM 越小，则单向导电性和温度稳定性越好。硅管的 0.1 ?A，锗管的为几十?A 。结电容对二极管的分流作用 1. 了解二极管的结构、类型，掌握二极管的符号、伏安特性和主要参数。 2. 了解温度对二极管特性的影响。主要要求： 1. 二极管伏安特性。 2. 死区电压、导通电压、反向击穿电压、最大整流电流 IF 、最高反向工作电压 URM 等概念。重点：