1章_半导体.pptVIP

齐纳击穿：高参杂，耗尽层窄，低反向（击穿）电压， 激发价电子（拉出），产生电子空穴对，反 向电流增大。 雪崩击穿：低掺杂，耗尽层宽，高反向（击穿）电压， 碰撞价电子（撞出），产生电子空穴对，多 次重复，反向电流增大。 P区（非平衡）少子浓度分布曲线 小功率二极管 大功率二极管 稳压 二极管 发光 二极管 一、 半导体二极管的结构 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。 半导体二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 (1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，故结允许的电流小，最高工作频率高。用于检波和变频等高频电路。 (a)点接触型 二极管的结构示意图 (3) 平面型二极管 往往用于集成电路制造艺中。PN 结面积可大可小，小的工作频率高，大的结允许的电流大。用于高频整流和开关电路中。 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，结面积大，结电容大，故结允许的电流大，最高工作频率低。用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 (c)平面型 (4) 二极管的代表符号 二、 二极管的伏安特性 1、二极管的伏安特性曲线可用PN结电流方程表示 硅二极管2CP10的V-I 特性 锗二极管2AP15的V-I 特性 正向特性 反向特性 反向击穿特性 正向伏安特性曲线：正向电流小（体电阻和引线电阻）。 反向伏安特性曲线：反向电流大（表面漏电流）。 具有单向导电性。 (1) 正向特性 硅二极管的死区电压 Uon =0.5 V左右， 锗二极管的死区电压 Uon =0.1 V左右。 耗尽层电势不同引起。 当0＜V＜Uon时，正向电流为零， Uon称为死区电压或开启电压。与导通电压区别。 当V＞0即处于正向特性区域。 正向区又分为两段： 当V＞ Uon时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 (2) 反向特性 当V＜0时，即处于反向特性区域。 反向区也分两个区域： 当UBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 当V≥UBR时，反向电流急剧增加，UBR称为反向击穿电压 。 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 从击穿的机理上看， 硅二极管若|UBR|≥7V时,主要是雪崩击穿； 若|UBR|≤4V时, 则主要是齐纳击穿。 当在4V～7V之间两种击穿都有。 三、 二极管的参数 半导体二极管的参数包括最大整流电流IF、反向击穿电压UBR、最大反向工作电压UR、反向电流IR、最高工作频率fM和结电容Cj等。几个主要的参数介绍如下： (1) 最大整流电流IF—— 二极管长期连续工 作时，允许通过二 极管的最大正向 电流的平均值。 + i D v D - R (2) 反向击穿电压UBR和最大反向工作电压UR UR =0.5UBR 为了保证二极管安全工作： 二极管反向电流 急剧增加时对应的反向 电压值称为反向击穿 电压UBR。 为安全计，在实际 工作时，最大反向工作电压 UR一般只按反向击穿电压 UBR的一半计算。 (3) 反向电流IR 在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 IR越小，单向导电性越好。 (4) 正向（导通）压降U （硅二极管典型值） （锗 二极管典型值） 导通压降： PN结的伏安特性 在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。 (5) 极间电容CB或 最高工作频率fM C的阻抗＝1/(ωC) * 1.1 半导体基础知识 1.3 晶体三极管 1.4 场效应管 1.5 单结晶体管和晶闸管 1.2 半导体二极管 1.1 半导体基础知识 一、本征半导体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 四、PN结的电容效应 一、 本征半导体 根据物体导电能力(电阻率)的不同