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* (a)PAN浓度0.1wt%,未完全覆盖表面,表面不均匀。(b)-(f)均形成均匀的薄膜形貌。CNS薄膜表现出低的均方根粗糙度以及平坦的表面。与传统的ITO(RMS=1.4nm)电极相比。 * (a)几种不同PAN浓度的薄层电阻以及薄膜厚度分布。随着PAN浓度的增加,厚度由0.8nm变为19nm,表面电阻从328053变为0.854. 当浓度超过1.5%后电导率值基本稳定,(b)PAN浓度为0.1–1.0 wt. %时在可见光区域又很好的透明度,在550nm时,透明度由99%变为35%。使用薄层电阻和光学透过率计算的品质因数(T10/Rsheet),随着浓度的改变,由2.8*10- 9/Ω变为1.7*10-5/Ω。 * 随着PAN浓度的增加,Rs的减小,或者Rsh的增加,是FF增加的主要原因。插图中Rsh没有明显的变化趋势,因此FF的增加可以认为是Rsheet的减小产生的。尽管2.5%PAN浓度的器件FF最大,薄层电阻最小,但是其Jsc却比较小。通过平衡FF和Jsc,或者薄层电阻和透光率随厚度变化,可以为优化器件效率选择最优的透明电极厚度。1.5%PAN器件效率最高。 * DMF(二甲基甲酰胺) * 为了更好地控制湿膜中剩余溶剂的容量,使用低沸点的氯仿和高沸点的二碘辛烷,由于氯仿的低沸点,在20s内就可以蒸发到空气中,而DIO则利用滴入甲醇、乙醇或者异丙醇来去除。如图,在前20s,氯仿迅速蒸发到空气中,形成一层湿的有机膜,内含一定容量溶剂的DIO。接着滴入由甲醇、乙醇或者异丙醇这种浸泡液,有机层中高沸点的DIO会被浸泡液吸收,从而形成干的有机层。浸泡液通过旋涂过程中告诉的离心力去除。 * 我们采用ITO/PEDOT:PSS/Active layer/Al结构, * 测试:Keithley 236测量其J-V特性,光照100mW/cm2,AM1.5。器件有效面积4mm2.大气环境下测量。使用IP处理以后,B、C、D器件性能均得到提高。 * 器件A效率最低,为1.04%,短路电流为5.6mA/cm2,开路电压为0.58V,填充因子为32%,IP处理以后器件性能提高,尤其是器件D,效率达到3.2%,是器件A的3倍,Jsc10.2mA/cm2,Voc0.62V,FF51%,反向电流密度、体电阻以及并联电阻都是通过公获得。kB为波尔兹曼常数,T为开氏温度,n为理想因子,e为电荷量,从器件A-D体电阻由33欧姆减低到2.2欧姆,为电荷传输提供更平滑的通道。 * (a)-(d)四种器件活性层表面形貌,可以看出,经过IP处理以后,表面粗糙度显著增加,A(RMS=3.91nm),BCD(RMS5.9nm).粗糙度的增加可能是由于自组织的共轭聚合物,这增强了薄膜有序结构的形成。 (e)-(h)为PCTDPP:PCBM复合膜的相位图,活性层中相分离的规模变小。因此我们可以得出结论:由于采用IP处理改变了活性层的固化动力学,给体和受体的相分离过程也发生改变。这种处理方法通过使用合适的浸泡溶剂很好的静止了活性层的形态。我们已经知道,在给体和受体中产生的激子要扩散到D/A界面处发生解离才能形成电子空穴对,因此为了有效地电荷产生,单个的给体或者是受体的相应该小于激子扩散长度(10nm),(e)-(h)中,对于器件A(传统旋涂方法制备),相分离为30nm,远远大于激子扩散长度。因此,激子容易复合,从而导致光电流损失。器件D(采用IP处理,异丙醇作为浸泡溶剂)相分离为15nm,与激子扩散长度相当,在给体或者是受体中产生的激子能够有效地在D/A界面处离解产生电子空穴对,使得Jsc的增加成为可能。 通过使用IP处理,器件显示出更粗糙的表面以及更有效的自组装结构,能够形成多的电荷传输通路。并且提高了有机层/电极接触,有助于电荷提取。另一方面,相分离域的大小减小了,这减少了激子的复合。因此,IP处理方法有望优化器件性能。 器件C与器件B相比,尽管表面粗糙度较大,相分离域较小,但其效率还是较低,是因为表面形貌中有很多小的针孔存在,导致了电荷复合。表1可以看出,反向电流密度增加,并联电阻减小。 * 四种器件有机层紫外可见吸收光谱,基于PCTDPP电子振动吸收,在700nm处出现吸收峰。从器件A-D,吸收谱出现红移,这种趋势与有机层粗糙度一致。一般颗粒尺寸越大,能级间隔就会越小,相应的吸收谱峰就会发生红移。在本文中,由于π-π共轭长度增加,导致有序的内链π-π双键堆叠时颗粒尺寸变大所致。这种有序的共轭聚合物内链相互作用的形成,有助于电荷运输并且抑制电荷复合。我们假定不同浸泡溶剂产生的不同红移是由于其溶解度不同产生的,这会导致固化阶段液相分离和PCTDPP:PCBM薄膜自组装的改变。 * * Efficient organic solar cells with
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