《半导体物理基础》期末总复习.ppt

第一章 1.半导体材料的一般特性。 2.晶向指数和晶面指数。（）、{ }、[ ]、 2.回旋共振实验原理.已知半导体导带的极值的方向，判断回旋共振实验的结果。 3.比较Si,Ge,GaAs能带结构的特点。 4.重空穴,轻空穴的概念. 第二章 1.什么是本征半导体和本征激发？ 2.施主杂质和受主杂质。 3.画出（a）本征半导体、（b）n型半导体、（c）p型半导体的能带图，标出费米能级、导带底、价带顶、施主能级和受主能级的位置。 4.掺杂对半导体导电类型及导电能力如何影响的? 5.金原子的带电状态与浅能级杂质的关系？ 1.写出热平衡时, 的表达式，n0、p0用ni表示的表达式。 2.状态密度,导带的有效状态密度Nc,价带的有效状态密度Nv概念. 3. 的物理意义. 4 n型,p 型（包括同时含有施主和受主杂质）半导体的电中性方程。 5.解释载流子浓度随温度的变化关系。 6.了解温度、杂质浓度对费米能级位置的影响。 7.何谓非简并半导体、简并半导体？简并化条件？ 8.定性说明简并半导体的能带结构会发生何变化？ 第三章 6.何谓浅能级杂质?深能级杂质?各自的作用 7.何谓杂质补偿？有何实际应用？ 第四章 1. 何谓漂移运动？迁移率的定义、量纲。 2. 平均自由程和平均自由时间的概念。 3. 半导体的主要散射机制？温度对