3半导体物理基础(5非平衡载流子).ppt

5.1 nonequilibrium carriers G-R（非平衡载流子的产生与复合） 例题1 若Et靠近EC：俘获电子的能力增强 不利于复合 Et处禁带中央，复合率最大。 Et=Ei 最有效的复合中心 俘获空穴的能力减弱 大注入 3 其它复合 半导体表面状态对非平衡载流子也有很大影响，表面处的杂质和表面特有的缺陷也在禁带形成复合中心。 （1）表面复合 表面氧化层、水汽、杂质的污染、表面缺陷或损伤。 （2） 俄歇复合 （3） 陷阱效应 一些杂质缺陷能级能够俘获载流子并长时间的把载流子束缚在这些能级上。 俘获电子和俘获空穴的能力相差太大 产生原因： 电子陷阱 空穴陷阱 解:温度改变时,费米能级位置要发生变化,则与Et的相对位置也发生变化. 例2 在一块p型半导体中，有一种复合-产生中心，小注入时被这些中心俘获的电子发射回导带的过程和它与空穴复合的过程有相同的几率。试求这种复合-产生中心的位置，并说明它能否成为有效的复合中心？ 5.5 非平衡载流子的扩散（Diffusion）运动 （1）扩散运动与扩散电流（diffusion current） 考察p型半导体的非少子扩散运动 沿x方向的浓度梯度 电子的扩散流密度 （单位时间通过单位 截面积的电子数） Dn---电子扩散系数（ electron diffusion coef