半导体物理前言.pptVIP

● GaAs和 InP单晶 ●世界GaAs单晶的总年产量已超过200吨。 （日本1999年的GaAs单晶的生产量为94吨， InP为27吨）。 以低位错密度生长的2～3英寸的导电GaAs衬底材料为主。 ● 研制直径3英寸以上大直径的InP 单晶的关键技术尚未完全突破，价格居高不下。 InP比GaAs ● 具有更优越的高频性能， ● 发展的速度更快； 但不幸的是 ●半导体超晶格、量子阱 III-V族超晶格、量子阱材料 GaAlAs/GaAs，GaInAs/GaAs， AlGaInP/GaAs； GaInAs/InP，AlInAs/InP， InGaAsP/InP等GaAs、InP基晶格匹配和应变补偿材料体系已发展得相当成熟。 已成功地用来制造超高速、超高频微电子器 件和单片集成电路。 目前硅基材料研究的主流： GeSi/Si应变层超晶格材料 ? 新一代移动通信。 硅基应变异质结构材料 Si/GeSi MOSFET 的最高截止频率已达 200GHz，噪音在10GHz下为0.9dB，其 性能可与GaAs器件相媲美。 ●一维量子线、零维量子点 基于 ● 低维新型半导体材料 ● 人工构造（通过能带工程实施） ● 新一代量子器件的基础 非线性光学效应 量子尺寸效应 量子干涉效应 量子隧穿效应 1994年，俄德联合小组首先研制成功 InAs/GaAs量子点材料， 1996年，量子点激光器室温连续输出功率达 1W，阈值电流密度为290A/cm2， 1998年，量子点激光器室温连续输出功率达 1.5W。 2000年初，中科院半导体所研制成功室温 双面CW输出3.62W、工作波 长为960nm左右的量子点激 光器，为目前国际报道的最好 结果之一。 1994年，日本NTT 研制成功沟道长度为 30nm 纳米单电子晶体管,并在 150K观察到栅控源-漏电流振荡。 1998年，Yauo等人采用0.25mm工艺技术 实现了128Mb的单电子存储器原 型样机的制造，这是单电子器件 在高密度存储电路的应用方面迈 出的关键一步。 1997年，美国又报道了可在室温工作的单 电子开关器件。 ●宽带隙半导体材料 金刚石 碳化硅 III族氮化物、立方氮化硼 II-VI族硫、锡、碲化物、氧化物及固溶体等 ● 高频大功率、耐高温、抗辐射半导体微电子 器件和电路的理想材料 ● 通信、汽车、航空、航天、石油开采及国防 特别 SiC、GaN 和金刚石薄膜等材料的特点 高热导率 高电子饱和漂移速度 大临界击穿电压 Ｃｒｅｅ公司6Ｈ-、4Ｈ-ＳｉＣ单晶尺寸随年度的变化 半导体物理学 北京交通大学 光电子技术研究所 娄志东 ●半导体的晶体结构和电子状态 ●杂质和缺陷能级 ●载流子的散射及电导问题 ●载流子的统计分布 本课程主要内容(1) ●非平衡载流子的产生、复合及运动规律 本课程主要内容(2) ●半导体的表面和界面 （pn结、金属与半导体接触、半导体表面与 MIS结构、半导体异质结构） ●半导体的光、热、磁、压阻等物理现象 ●非晶半导体 主要中文参考书 ●刘恩科：半导体物理学 ●田敬民：半导体物理问题与习题 ●钱佑华、徐至中：半导体物理 ●夏建白：现代半导体物理 ●夏建白：半导体超晶格物理 ●许振嘉：近代半导体材料的表面科学基础 ●方俊鑫：固态物理学 ●贺德衍译：半导体材料物理基础 主要英文参考书 ●PY Yu: Fundamentals of Semiconductor Physics: Physics and Materials Properties ●Robert F.Pierret: Semiconductor Device Fundamentals(Part1) ●M.Balkanski: Semiconductor Physics and Applications ●S Wang: Fundamentals of Semiconductor Theory a