电池片 背板.pptVIP

太阳能学习 电池片 分类 单晶硅 多晶硅 单晶硅电池的转换率高于多晶硅电池2-3%，多晶硅电池的弱光性好于单晶 单晶太阳能电池 规格：156×156±0.5mm 对角线：202±1.0mm 硅片的厚度：220±20um 正面：有蓝色氮化硅反射膜，银汇流带（宽有1.8、1.6、2毫米规格宽） 背面：全部由铝背场覆盖，有4毫米宽的银铝焊线 铝背场 　定义：为了改善硅太阳电池的效率，在p-n结制备完成后，往往在硅片的背面即背光面，沉积一层铝膜，制备P+层，称为铝背场。 　作用：减少少数载流子在背面复合的概率。也可以作为背面的金属电极，还有可以扩散吸杂作用，与磷扩散吸杂不同，铝吸杂在相对较低的温度下进行。其中体缺陷也参与了杂质的溶解和沉积，而在较高温度下，沉积的杂质易于溶解进入硅中，对Mc—Si产生不利的影响。  　制备方法：最简单的方法是利用溅射等技术在硅片背面沉 积一层铝膜，然后再800～1000℃热处理，使铝膜和硅合金化并内扩散，形成一层高铝浓度掺杂的P+层，构成铝背场。 光生伏打原理 多晶硅制备流程 进料检测 外观：表面无污，氮化硅膜色匀 栅线均匀对称排布，无氧化及外观缺陷脱落 片子无隐裂、V型角、划痕，U型口应不大于1×2mm2 电池片翘曲度，单晶硅125×125cell≦1.0mm 多晶硅156×156 cell≦1.8mm 电池片电性能参数 太阳能电池效率η 太阳能电池的填充因子FF=Vm*Im/Voc*Isc 短路电流Isc，当V=0时，电流达到的最大值 开路电压Voc，当I=0时，电压达到的最大值 在I=Isc，V=0及V=Voc，I=0处，其功率值P=0 ,最大功率Pm=VmIm，实际功率达不到Pm 栅线 电极 太阳能电池栅线是由专用导电银浆印刷至上。 由超细银粉和低温固化热塑性树脂制成 。 背板 检测指标 常规试验：清洁平整，无皱划痕脱层杂物 透水性（快速老化48小时）、层间剥离强度（≧5N/cm） 收缩率横向纵向各≦1.5%、2。 与EVA粘结力（≧40N/cm）、与硅胶粘结力（≧5N/cm） 耐火安全性800℃ 绝缘破坏电压 水蒸汽渗透率(水蒸汽的渗透会影响到EVA的粘结性能，导致背板与EVA脱离，进而使更多湿气直接接触电池片而使电池片被氧化 ) 常用三层成分 TPT= Tedlar(PVF) +PET+Tedlar(PVF) PET为聚乙烯对苯二甲酸酯 PVF（Polyvinylfluorid）为聚氟乙烯CHFCH2单体的聚合物；PVDF（Polyvinylidenfluorid）为偏二氟乙烯CF2CH2单体的聚合物； 外层保护层PVF具有良好的抗环境侵蚀能力，中间层为PET聚脂薄膜具有良好的绝缘性能，内层PVF需经表面处理和EVA具有良好的粘接性能。 * * ●电池片 ●背板 当光线照射太阳电池表面时，一部分光子被硅材料吸收;光子的能量传递给了硅原子，使电子发生了越迁，成为自由电子在P-N结两侧集聚形成了电位差，当外部接通电路时，在该电压的作用下，将会有电流流过外部电路产生一定的输出功率。这个过程的的实质是：光子能量转换成电能的过程。 太阳电池热斑现象 是指太阳电池组件在阳光照射下，由于部分组件受到遮挡无法工作，使得被遮盖的部分升温远远大于未被遮盖部分，致使温度过高出现烧坏的暗斑。 多晶硅太阳电池在构成组件后，已装有旁路二极管用以消除热斑。 Tedlar是DUPONT公司生产的PVF产品的品牌名称 *